Samsung Công Bố Cấu Hình Bộ Nhớ HBM2E Cho Card Đồ Họa

Khoảng cuối tháng 03/2019, Samsung công bố cấu hình bộ nhớ HBM dành cho card đồ họa và thế hệ HBM2E mới nhất. Hiệu năng sẽ cao hơn 33%, dung lượng cũng tăng gấp đôi. Hiện Samsung vẫn chưa bắt đầu sản xuất hàng loạt dòng bộ nhớ mới nhưng hoạt động phát triển đã hoàn tất.

Các thế hệ HBM trước được Samsung đặt tên mã lần lượt là Flarebolt (HBM1), Aquabolt (HBM2) và hiện là Flashbolt (HBM2E). Dòng bộ nhớ mới được tạo thành từ 8 đế chip 16 Gb (2 GB) xếp chồng và kết nối với nhau bằng cầu TSV (Through Silicon Vias) theo thiết lập 8-Hi. Mỗi IC Flashbolt có độ rộng bus nhớ 1024-bit, tốc độ truyền tải dữ liệu 3.2 Gbps trên mỗi chân kết nối như vậy băng thông bộ nhớ đạt 410 GB/s.

Samsung định hướng Flashbolt là thế hệ bộ nhớ tiếp theo dành cho các trung tâm dữ liệu, HPC, ứng dụng trí thông minh nhân tạo (AI) và máy học (ML) cũng như card đồ họa cao cấp. Với 4 IC Flashbolt cùng với một vi xử lý hỗ trợ giao tiếp bộ nhớ 4096-bit đơn vị phát triển có thể trang bị bộ nhớ với dung lượng đến 64 GB, băng thông đạt 1.64 TB/s.

Để tăng tốc độ truyền tải trên mỗi chân tiếp xúc lên 3.2 Gbps, Samsung có thể đã áp dụng nhiều thủ pháp để khử nhiễu xung khi xung truyền đi giữa hơn 5000 cầu TSV từ đế trên cùng xuống chân tiếp xúc, khiến tín hiệu rõ hơn. Trước đó, Samsung cũng đã áp dụng các thủ pháp lọc nhiễu trên dòng HBM2 Aquabolt để tăng tốc độ lên 2.4 Gbps/chân tiếp xúc.