Intel có kế hoạch xuất xưởng chip flash NAND 3D trong năm 2015, sẽ có mật độ gấp đôi của sản phẩm hiện cạnh tranh trên thị trường. Samsung, một đối thủ chính của Intel, đã có thế hệ thứ hai của ổ SSD được xây dựng với công nghệ 3D.
NAND 3D có nhiều lớp bóng bán dẫn xếp chồng lên nhau trong một khối lập phương. Chip của Intel sẽ có 32 lớp. Ổ SSD của Samsung cũng được thực hiện với 32 lớp, nhưng Intel cho biết sản phẩm của mình sẽ giữ số bit gấp 2 lần: 256 tỷ bit trên cùng một khuôn sử dụng MLC (multilevel cell), dạng phổ biến nhất của flash.
Bộ nhớ flash nhanh hơn và hiệu quả hơn nhiều so với các đĩa quay nhưng vẫn còn đắt tiền hơn để sản xuất. Bằng cách tăng gấp đôi khả năng của một khuôn duy nhất, Intel hy vọng có thể đạt được một bước đột phá trong chi phí của ổ flash để đi vào một phạm vi rộng lớn hơn của hệ thống. Các sản phẩm đã sử dụng ổ flash sẽ có thể có lưu trữ nhiều hơn với một mức giá nhất định.
Rob Crooke, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc của Non-Volatile Memory Solution Group của Tập đoàn Intel, cho biết đối với phân khúc cao cấp trong thị trường, hãng sẽ có thể đáp ứng 1TB dữ liệu trên một con chip NAND chỉ dày 2mm
“Chúng ta không còn phải đắn đo suy nghĩ và thỏa hiệp về dung lượng lưu trữ bao nhiêu là phù hợp cho thiết bị", Crooke nói. Trong năm 2015 và 2016, Intel có kế hoạch để xây dựng thẻ nhớ lưu trữ cho các máy chủ doanh nghiệp với dung lượng hơn 10TB.
Công nghệ mới cũng giúp Intel có thể giảm tốn kém cho các hệ thống. Ổ flash vẫn chỉ chiếm khoảng 20% lượng bộ nhớ bán ra hiện nay, trung bình trên tất cả các loại hệ thống. Các dự đoán hiện cho rằng ổ flash sẽ chiếm 50% thị trường máy tính xách tay và 35% thị trường máy chủ vào năm 2018.
Crooke cho biết thêm: “Mọi người xứng đáng được sở hữu dung lượng lưu trữ đủ tốt, dung lượng ít hơn một terabyte sẽ có chi phí thấp hơn nhiều, rất nhiều”. Đối với các thiết bị lai mỏng và nhẹ như máy tính bảng và PC, “người dùng có thể có được dung lượng lưu trữ nhiều như mong muốn”
Send comment
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D927272654.-%3B)