Intel Sẽ Tung Ra Bộ Nhớ Flash NAND 3D Trong Năm 2015: Đáp Ứng Mọi Nhu Cầu Lưu Trữ

22 Tháng Mười Một 20147:00 CH(Xem: 21459)
Intel Sẽ Tung Ra Bộ Nhớ Flash NAND 3D Trong Năm 2015: Đáp Ứng Mọi Nhu Cầu Lưu Trữ
blank
Intel có kế hoạch xuất xưởng chip flash NAND 3D trong năm 2015, sẽ có mật độ gấp đôi của sản phẩm hiện cạnh tranh trên thị trường. Samsung, một đối thủ chính của Intel, đã có thế hệ thứ hai của ổ SSD được xây dựng với công nghệ 3D.

NAND 3D có nhiều lớp bóng bán dẫn xếp chồng lên nhau trong một khối lập phương. Chip của Intel sẽ có 32 lớp. Ổ SSD của Samsung cũng được thực hiện với 32 lớp, nhưng Intel cho biết sản phẩm của mình sẽ giữ số bit gấp 2 lần: 256 tỷ bit trên cùng một khuôn sử dụng MLC (multilevel cell), dạng phổ biến nhất của flash.

Bộ nhớ flash nhanh hơn và hiệu quả hơn nhiều so với các đĩa quay nhưng vẫn còn đắt tiền hơn để sản xuất. Bằng cách tăng gấp đôi khả năng của một khuôn duy nhất, Intel hy vọng có thể đạt được một bước đột phá trong chi phí của ổ flash để đi vào một phạm vi rộng lớn hơn của hệ thống. Các sản phẩm đã sử dụng ổ flash sẽ có thể có lưu trữ nhiều hơn với một mức giá nhất định.

Rob Crooke, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc của Non-Volatile Memory Solution Group của Tập đoàn Intel, cho biết đối với phân khúc cao cấp trong thị trường, hãng sẽ có thể đáp ứng 1TB dữ liệu trên một con chip NAND chỉ dày 2mm
    
“Chúng ta không còn phải đắn đo suy nghĩ và thỏa hiệp về dung lượng lưu trữ bao nhiêu là phù hợp cho thiết bị", Crooke nói. Trong năm 2015 và 2016, Intel có kế hoạch để xây dựng thẻ nhớ lưu trữ cho các máy chủ doanh nghiệp với dung lượng hơn 10TB.

Công nghệ mới cũng giúp Intel có thể giảm tốn kém cho các hệ thống. Ổ flash vẫn chỉ chiếm khoảng 20% lượng bộ nhớ bán ra hiện nay, trung bình trên tất cả các loại hệ thống. Các dự đoán hiện cho rằng ổ flash sẽ chiếm 50% thị trường máy tính xách tay và 35% thị trường máy chủ vào năm 2018.

Crooke cho biết thêm: “Mọi người xứng đáng được sở hữu dung lượng lưu trữ đủ tốt, dung lượng ít hơn một terabyte sẽ có chi phí thấp hơn nhiều, rất nhiều”. Đối với các thiết bị lai mỏng và nhẹ như máy tính bảng và PC, “người dùng có thể có được dung lượng lưu trữ nhiều như mong muốn”
50Vote
40Vote
33Vote
20Vote
11Vote
2.54
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
04 Tháng Giêng 2019
Khoảng đầu tháng 01/2019, theo thư do CEO Tim Cook gửi đến các nhà đầu tư, Apple dự đoán doanh thu của hãng sẽ sụt giảm khoảng 9 tỷ USD do nhu cầu iPhone yếu, một phần vì ngày càng nhiều người chọn thay pin điện thoại.
04 Tháng Giêng 2019
Một ngày đẹp trời nào đó, quý vị có thể giơ ngón tay lên không để bấm những nút vô hình hay chà nhẹ hai ngón tay để tái hiện thay tác xoay núm điều khiển. Đó là tương lai mà cảm biến cử chỉ Soli sử dụng công nghệ radar của Google vừa được chính phủ Mỹ đồng ý cho tiếp tục thử nghiệm hướng tới.
03 Tháng Giêng 2019
Khoảng đầu tháng 01/2019, Privacy International, một tổ chức phi lợi nhuận có trụ sở tại Anh, đã thực hiện nghiên cứu trên 34 ứng dụng Android phổ biến (có số lượng cài đặt từ 10 đến 500 triệu), trong khoảng thời gian từ tháng 8 đến tháng 12/2018.
03 Tháng Giêng 2019
Sẽ không có gì ngạc nhiên nếu thế hệ iPhone mới trở thành dòng iPhone có nhiều nâng cấp mạnh nhất, vì Apple đang ấp ủ rất nhiều công nghệ mới cho thế hệ iPhone 2019, nhưng sẽ chỉ áp dụng khi cảm thấy đủ hoàn thiện và thích hợp.
03 Tháng Giêng 2019
Ngày 01/01/2019, tàu Chân Trời Mới (New Horizons) bắt gặp một vật thể ở Vành đai Kuiper, được đặt tên là Ultima Thule. Cách Mặt Trời khoảng 6.5 tỷ km, Ultima Thule là thế giới xa xôi nhất từng được thám hiểm bởi một con tàu vũ trụ từ Trái Đất.
03 Tháng Giêng 2019
Tiếp theo thông tin về vụ Trung Quốc phóng tàu Hằng Nga 4 (Chang'e-4) lên Mặt Trăng với tham vọng nghiên cứu kỹ hơn về vùng tối, nơi mà từ trước đến giờ con người mới chụp lại các hình ảnh chứ chưa có bất cứ thiết bị nào hạ cánh xuống. Khoảng đầu tháng 01/2019, các nguồn tin từ Trung Quốc đã thông báo Hằng Nga 4 đã hạ cánh thành công ở hố va chạm Aitken, thuộc vùng cực Nam Mặt Trăng, nơi chưa từng được khám phá, và bắt đầu các nghiên cứu tiếp theo.