Một nguồn tin rò rỉ cho biết iPhone 6S có thể sẽ được trang bị RAM 2GB. Cũng theo báo cáo, Apple sẽ sử dụng công nghệ LPDDR4 cho phép tăng gấp đôi băng thông RAM lên 34Gbps mà không tốn thêm dung lượng pin. Hiện tại iPhone 6 và iPhone 6 Plus của Apple đang sử dụng RAM 1GB với công nghệ LPDDR3 cũ.
Apple dường như đã có một khoảng thời gian khó khăn để xác định công nghệ nào sẽ được đưa vào model iPhone thế hệ tiếp theo, chủ yếu là vì công nghệ LPDDR4 đặt hơn 35% so với công nghệ LPDDR3 cũ. Ngoài ra, Apple còn lo lắng về nguồn cung cấp các chip RAM mới do các vấn đề sản xuất tại Micron. Tuy nhiên, vấn đề đã được giải quyết khi Micron sẽ cung cấp 20% RAM của Apple dành cho iPhone 6S trong năm 2015, trong khi Hynix sẽ chịu trách nhiệm 50% và Samsung là 30% RAM cho iPhone 6S.
Randam Access Memory cơ bản là một bộ nhớ ngắn hạn của điện thoại và truy cập thông tin trên RAM nhanh hơn từ bộ nhớ trong của điện thoại. Sau khi tăng gấp đôi dung lượng RAM trên iPad từ thế hệ iPad Air 2 lên 2 GB, có vẻ như Apple sắp làm điều tương tự với iPhone thế hệ tiếp theo.
Send comment
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D655367435.-%3B)