Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22512)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
11 Tháng Mười 2019
Khoảng đầu tháng 10/201, tia sáng hy vọng cuối cùng cũng đã mở ra đối với Huawei vì các công ty công nghệ tại Mỹ có thể có cơ hội để hợp tác trở lại.
10 Tháng Mười 2019
Giải Nobel vật lý năm 2019 thuộc về ba nhà khoa học là James Peebles, Michel Mayor và Didier Queloz vì sự nghiên cứu để hiểu rõ cấu trúc và lịch sử của vũ trụ, đồng thời là một công trình khám phá mới về một hành tinh có quỹ đạo quanh một ngôi sao bên ngoài hệ Mặt Trời.
10 Tháng Mười 2019
Dòng Galaxy Note 10 khiến khá nhiều người e ngại với mức giá đắt đỏ, nhưng mọi thứ có thể thay đổi vào năm sau khi Samsung tung ra biến thể giá rẻ của thiết bị
10 Tháng Mười 2019
Khoảng đầu tháng 10/2019, một nhóm những nhà nghiên cứu từ Đại học Utah đã có một bước đột phá lớn về quang học khi phát triển một loại lens phẳng chỉ dày 10 micron, mỏng hơn 1,000 lần so với các ống kính thông thường. Và độ mỏng không làm giảm hiệu suất hoạt động của lens.
10 Tháng Mười 2019
Intel và AMD đã từng hợp tác để sản xuất bộ vi xử lý Kaby Lake-G, bộ vi xử lý có tích hợp chip đồ họa của AMD và do Intel sản xuất trên tiến trình của hãng. Tuy nhiên, khoảng đầu tháng 10/2019, theo tuyên bố mới, Intel sẽ chấm dứt việc sản xuất bộ vi xử lý và không có dấu hiệu nào của một bộ vi xử lý tiếp theo sẽ thay thế.
10 Tháng Mười 2019
Giải Nobel Hóa học năm 2019 thuộc về ba nhà khoa học, John Goodenough, Stanley Whittingham và Akira Yoshino với thành tựu phát triển được công nghệ pin lithium-ion có thể nạp lại năng lượng vào những năm 70 và 80 của thế kỷ trước, tạo ra một cuộc cách mạng thiết bị di động.