Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22575)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
12 Tháng Tám 2019
Khoảng đầu tháng 08/2019, theo trang Slashgear, lỗ hổng của ứng dụng Danh bạ đã tồn tại 4 năm trên iOS nhưng Apple vẫn chưa khắc phục. Hacker có thể dùng lệnh tìm kiếm liên hệ để thực thi mã lệnh tùy ý trên iPhone, iPad của người dùng.
11 Tháng Tám 2019
Hình ảnh vệ tinh có thể giúp chúng ta dễ dàng di chuyển trên đường nhờ các ứng dụng như Google Maps. Tuy nhiên, khoảng đầu tháng 08/2019, các nhà nghiên cứu tại Phòng thí nghiệm phản lực của NASA và các nhà khoa học tại ĐH. Bath (Anh) tin rằng, hình ảnh vệ tinh cũng có thể sử dụng cho nhiều mục đích khác rất quan trọng, chẳng hạn như phân tích cấu trúc cây cầu và phát hiện các nguy cơ sập cầu tiềm ẩn.
11 Tháng Tám 2019
Khoảng đầu tháng 08/2019, theo trang iFixit, Apple đã kích hoạt khóa phần mềm trên iPhone để phản đối việc thay pin thiết bị bên ngoài Apple. iFixit phát hiện iPhone XS, XS Max hoặc XR do bên thứ ba - không phải Apple hay điểm bảo hành ủy quyền (ASP) - thay pin sẽ hiển thị cảnh báo nói rằng pin có vấn đề.
09 Tháng Tám 2019
Khoảng đầu tháng 08/2019, một số nguồn tin cho biết, Apple đang hợp tác với tập đoàn y dược Eli Lilly để nghiên cứu và thu thập dữ liệu về bệnh mất trí nhớ, để trong tương lai, các sản phẩm Apple Watch cùng với iPhone có thể xác định được liệu người dùng có bất cứ triệu chứng gì liên quan đến nhận thức, trí nhớ, hay nói chung về bệnh Alzheimer.
09 Tháng Tám 2019
Khoảng đầu tháng 08/2019, một số nguồn tin cho biết, đại diện Facebook đề nghị trả khoảng 3 triệu USD/năm để được sử dụng tiêu đề và bản xem trước bài báo từ các hãng tin. Facebook đã tiếp cận ABC News, Dow Jones (công ty chủ quản The Wall Street Journal), The Washington Post, Bloomberg.
09 Tháng Tám 2019
Tên lửa Atlas hùng mạnh đang mang theo một vệ tinh liên lạc quân sự lên quỹ đạo Trái đất.