Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22835)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
29 Tháng Ba 2019
Các khách hàng sở hữu laptop MacBook của Apple – đặc biệt là những laptop với thiết kế bàn phím cánh bướm – đã gặp phải nhiều vấn đề kể từ khi Apple quyết định thiết kế lại bàn phím từ năm 2015 để làm máy trở nên mỏng hơn.
29 Tháng Ba 2019
Khoảng cuối tháng 03/2019, Bộ Giáo dục Mỹ đã mở cuộc điều tra 8 trường đại học liên quan đến vụ gian lận thi cử lớn.
28 Tháng Ba 2019
Messier 15 là một di tích 13 tỷ năm tuổi của những năm đầu hình thành của thiên hà chúng ta, một trong khoảng 170 cụm sao cầu vẫn đang lang bạt vòng quanh Dải Ngân hà. Đường kính khoảng 200 năm ánh sáng, nó nằm cách Trái đất khoảng 35,000 năm ánh sáng trong hướng chòm sao Pegasus.
28 Tháng Ba 2019
Dù nhiên liệu hydro giúp loại bỏ ô nhiễm khí thải nhưng phần lớn nó lại được làm từ khí tự nhiên và các nguồn nhiên liệu hóa thạch. Bên cạnh đó, còn một nguồn sạch hơn có thể sử dụng để chế tạo nhiên liệu hydro, đó là nước. Với điện tích có sẵn trong môi trường nước, ta có thể tách hydro ra khỏi oxy để thu được nguồn hydro tinh khiết.
28 Tháng Ba 2019
Khoảng cuối tháng 03/2019, Samsung công bố cấu hình bộ nhớ HBM dành cho card đồ họa và thế hệ HBM2E mới nhất. Hiệu năng sẽ cao hơn 33%, dung lượng cũng tăng gấp đôi. Hiện Samsung vẫn chưa bắt đầu sản xuất hàng loạt dòng bộ nhớ mới nhưng hoạt động phát triển đã hoàn tất.
28 Tháng Ba 2019
Khoảng cuối tháng 03/2019, theo trang Digitimes, quyết định nhắm vào nhiều phân khúc khác nhau của Samsung sẽ giúp doanh số dòng Galaxy S10 mới tăng mạnh trong năm 2019. Cụ thể, tổng doanh số Galaxy S10e, Galaxy S10, Galaxy S10 Plus và Galaxy S10 5G của Samsung trong năm 2019 sẽ tăng từ 10 đến 10% so với Galaxy S9 năm 2018 (bao gồm cả Galaxy S9 và S9 Plus). Nhìn chung, trong năm 2019, Samsung có thể xuất xưởng tới 60 triệu chiếc Galaxy S10.