Pin Li-ion 3D Siêu Nhỏ, Có Thể Được Tích Hợp Ngay Trên Chip!

13 Tháng Năm 201511:00 CH(Xem: 19668)
Pin Li-ion 3D Siêu Nhỏ, Có Thể Được Tích Hợp Ngay Trên Chip!
Bằng cách kết hợp kỹ thuật khắc nổi 3D holographic và phương pháp in ảnh photolithography 2D, các nhà nghiên cứu đến từ Đại học Illinois đã phát triển một thỏi pin 3D siêu nhỏ, có thể được tích hợp ngay trên chip trong các thiết bị vi điện tử.

blank
Paul Braun, giáo sư khoa học vật liệu tại đại học Illinois cho biết: “Pin 3D siêu nhỏ có hiệu năng và kích thước vô cùng đặc biệt, hứa hẹn sẽ có vai trò quan trọng trong nhiều ứng dụng. Trước đây, những thiết bị kích thước vi mô vẫn phải sử dụng nguồn năng lượng từ bên ngoài chip, do việc thu nhỏ các bộ phận lưu trữ năng lượng là vô cùng khó khăn. Một thỏi pin chứa nhiều năng lượng nhưng có kích thước siêu nhỏ có thể được trang bị cho các bộ truyền động tự động siêu nhỏ, cảm biến và truyền dẫn không dây, vi điều khiển, thiế bị y tế di động hoặc cấy ghép”

Theo đó, kỹ thuật in quang khắc 3D holographic sẽ được áp dụng để xác định cấu trúc bên trong của điện cực và sau đó dùng phương pháp in ảnh litho – in ảnh lên bề mặt bằng phương pháp chụp – để tạo hình cho điện cực.

Kỹ thuật tạo hình bằng holographic trong không gian 3 chiều sẽ cho phép định hình trước cấu trúc dạng tổ ong của viên pin siêu nhỏ. Thiết kế mới cho phép nó có thể vận chuyển electron và các ion bên trong viên pin với tốc độ cực cao, tương đương với khả năng của siêu tụ điện.

blank
Hailong Ning, một thành viên của nhóm nghiên cứu tại Viện khoa học và kỹ thuật vật liệu thuộc Đại học Illinois, cho biết: “Do sự phức tạp của các điện cực 3D nên thường rất khó để tạo ra những thỏi pin siêu nhỏ, có khả năng tích hợp độc lập ngay trên chip. Dự án của chúng tôi đã phát triển một phương pháp hiệu quả nhằm tạo ra pin 3D Li-ion siêu nhỏ. Cách làm này hoàn toàn có thể tương thích với những quy trình sản xuất thiết bị vi điện tử hiện nay”
514Vote
40Vote
33Vote
24Vote
14Vote
3.625
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
31 Tháng Mười Hai 2018
Khoảng cuối tháng 12/2018, theo Cointelegraph Italy, chính phủ Ý đã công bố danh sách 30 chuyên gia cấp cao về blockchain để tiếp tục tích hợp công nghệ ở cấp nhà nước, đưa tin ngày 27/12.
31 Tháng Mười Hai 2018
Khoảng cuối tháng 12/2018, Microsoft đã nộp đơn ghi danh bằng sáng chế cho hệ thống USB-C từ tính bằng cách sử dụng đầu cắm từ tính và ổ cắm từ tính để giúp sạc và truyền dữ liệu cho các tablet Surface thế hệ mới dễ dàng hơn.
31 Tháng Mười Hai 2018
Samsung dường như khá tích cực trong việc đệ trình các bằng sáng chế về drone. Khoảng cuối tháng 12/2018, một bằng sáng chế drone mới của hãng đã được xuất bản bởi Văn phòng Bằng sáng chế và Thương hiệu Mỹ (USPTO).
31 Tháng Mười Hai 2018
Công nghệ phát trực tiếp âm thanh từ màn hình OLED của Samsung có thể sẽ xuất hiện vào năm 2019. Samsung đã tiết lộ về công nghệ mới vào đầu năm 2018, rằng nó sử dụng các rung động của màn hình để dẫn truyền âm thanh trên smartphone.
31 Tháng Mười Hai 2018
Khoảng cuối tháng 12/2018, trong một cuộc khảo sát, các nhà phân tích thị trường cho rằng Samsung và các công ty chuyển hướng sản xuất sang khu vực Đông Nam Á sẽ trỗi dậy như những đối tượng hưởng lợi lớn từ cuộc chiến thương mại trong năm 2019.
28 Tháng Mười Hai 2018
Khoảng cuối tháng 12/2018, Nga tuyên bố thử thành công hệ thống tên lửa đạn đạo siêu âm thế hệ mới. Có tên gọi là Avangard, đây là tên lửa đạn đạo xuyên lục địa, được trang bị hệ thống lướt tốc độ siêu âm và có thể di chuyển với tốc độ nhanh gần gấp 5 lần so với vận tốc âm thanh. Nga tuyên bố, với hệ thống được thiết kế hoàn toàn mới, Avangard có thể qua mặt được toàn bộ những hệ thống phòng thủ tên lửa dù là tiên tiến nhất hiện nay trên thế giới.