Apple Đạt Bằng Sáng Chế Thiết Kế Hotspot Di Động Mới

24 Tháng Năm 20158:00 CH(Xem: 21439)
Apple Đạt Bằng Sáng Chế Thiết Kế Hotspot Di Động Mới
blank
Bằng sáng chế về thiết kế hotspot di động mới của Apple đã được Ủy Ban Bản Quyền và Thương Hiệu Mỹ công bố.

Theo đó, bằng sáng chế mới được mô tả là sẽ giúp cải thiện thời lượng hoạt động và tăng tính tiện dụng cho những người thường xuyên sử dụng kết nối Wi-Fi di động.

Thiết kế hotspot mới của Apple bao gồm 2 phần. Phần thứ nhất là ăng ten và khe cắm SIM, những thành phần cần thiết của một hotspot di động, phần còn lại đơn thuần là thỏi pin với nhiều dung lượng khác nhau.


2 phần được kết nối với nhau bằng cơ cấu ren, linh hoạt và tiện dụng. Người dùng có thể dễ dàng thay pin cho thiết bị của mình.

Bằng sáng chế của Apple đã được đệ trình từ cuối năm 2013. Nó khá thực tiễn, tiện dụng và có thể giúp Apple Watch hoạt động độc lập hơn và không cần đến iPhone.
518Vote
42Vote
310Vote
23Vote
18Vote
3.541
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
12 Tháng Mười Một 2020
Hai quan chức cấp cao của Bộ An ninh Nội địa đã bị Nhà Trắng yêu cầu từ chức.
12 Tháng Mười Một 2020
Nhiều nhà lập pháp từ Đảng Cộng hòa đề nghị chính quyền Trump cho phép Biden nhận các thông tin tình báo quan trọng, ngầm thừa nhận chiến thắng của ông.
12 Tháng Mười Một 2020
Tổng thống đắc cử Joe Biden có thể thay đổi quan điểm trong mối quan hệ của Washington với Bắc Kinh, tăng cường củng cố vị thế hàng đầu của công nghệ Mỹ nhưng có chiến lược mềm mỏng hơn với Trung Quốc ở lĩnh vực công nghệ.
12 Tháng Mười Một 2020
Các quan chức bầu cử Mỹ khẳng định "không có bằng chứng" cho thấy các phiếu bầu bị thất lạc, thay đổi hay hệ thống bỏ phiếu bị hư hỏng
12 Tháng Mười Một 2020
Hôm thứ Năm (2/11/2020), chính quyền Trump đã ký sắc lệnh cấm các công ty Mỹ đầu tư 31 doanh nghiệp bị cáo buộc có liên quan với quân đội Trung Quốc, gia tăng thêm áp lực lên Bắc Kinh.
12 Tháng Mười Một 2020
Tháng 11/2020, Samsung chính thức ra mắt chip xử lý Exynos 1080. Bộ vi xử lý mới được sản xuất trên tiến trình EUV FinFET 5nm của công ty.