Intel và Micron đã tìm ra phương pháp mới giúp lưu trữ dữ liệu. Trong tháng 07/2015, Intel đã chính thức công bố công nghệ lưu trữ 3D Xpoint của bộ nhớ non-volatile. Được biết, phương pháp mới sẽ có tốc độ nhanh hơn 1,000 lần so với kiến trúc NAND cơ bản hiện đang được sử dụng trên hầu hết các thẻ nhớ flash và ổ cứng SSD.
Theo đó, kiến trúc mới hoàn toàn không cần dùng điện trở, dựa vào sự thay đổi thuộc tính vật liệu với số lượng lớn để chuyển đổi đơn vị thông tin (bits) từ trở kháng thấp đến trở kháng cao. Từ đó, các ngăn bộ nhớ (memory cells) được xếp lớp trong không gian hình bàn cờ ba chiều, được cho là dày đặc hơn 10 lần so với bộ nhớ thông thường.
Rob Crooke, phó chủ tịch Intel, cho biết: “Trong nhiều thập kỷ, ngành công nghiệp đã tìm cách để giảm độ trễ giữa bộ xử lý và dữ liệu, nhằm cho phép phân tích nhanh hơn nhiều. Thế hệ mới của bộ nhớ non-volatile đã đạt được mục tiêu và tạo ra sự thay đổi trong tình hình hiệu suất bộ nhớ và các giải pháp lưu trữ”
Những hạn chế của kiến trúc mới hiện vẫn chưa rõ ràng. Dự kiến, công nghệ 3D XPoint sẽ có mẫu theo lựa chọn của khách hàng vào cuối năm 2015. Được biết, Intel và Micron hiện đang phát triển các sản phẩm cá nhân dựa trên công nghệ mới.
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D521059785.-%3B)