Dù đến giữa tháng 09/2015, iPhone 6S mới được ra mắt, nhưng dường như một số công bố đã làm giới công nghệ háo hức với iPhone 7 của năm 2016.
Trong tháng 08/2015, Toshiba và SanDisk đã chính thức công bố bộ nhớ NAND Flash 256 GB đầu tiên với dung lượng 32 GB, được sản xuất trên 48 lớp BiCS 3D.
Được biết, đây là công nghệ bộ nhớ Flash thế hệ mới tiên tiến, ưu việt hơn nhiều so với các sản phẩm chip bộ nhớ hiện hành, cả về tốc độ lẫn khả năng tiêu thụ điện năng. Theo đó, thế hệ bộ nhớ mới được sản xuất dựa trên kiến trúc 15 nm, có thể chứa được gấp đôi dung lượng so với bộ nhớ hiện hành khi có cùng 1 kích thước.
Ngoài ra, nhờ công nghệ BiCS 3D nên bộ nhớ mới của Toshiba và Sandisk sẽ có tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh chóng và an toàn hơn, so với công nghệ 2D truyền thống. Nó cũng được cho là sẽ tiết kiệm điện năng hơn, dù không có thông báo chi tiết từ các hãng sản xuất.
Toshiba và Sandisk không chỉ là tên tuổi lớn trong lĩnh vực công nghệ chip nhớ Flash, mà còn là những đối tác lớn của Apple.
Theo dự kiến, những lô hàng mẫu đầu tiên của công nghệ bộ nhớ mới sẽ được thương mại hóa trong tháng 09/2015. Vì vậy, chắc chắn thế hệ iPhone của năm 2015 sẽ chưa được sử dụng công nghệ bộ nhớ mới. Tuy nhiên, công bố đã làm dấy lên những kỳ vọng về đột phá trong tốc độ xử lý trên thế hệ iPhone tiếp theo, được ra mắt trong năm 2016.
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D233579006.-%3B)