Dòng Thiết Bị Cao Cấp Sắp Tới Của Microsoft Sẽ Được Trang Bị Công Nghệ Sạc Nhanh Quick Charge 2.0

01 Tháng Chín 20159:00 CH(Xem: 20038)
Dòng Thiết Bị Cao Cấp Sắp Tới Của Microsoft Sẽ Được Trang Bị Công Nghệ Sạc Nhanh Quick Charge 2.0
blank
Người dùng Windows Phone sắp đón nhận 2 sản phẩm smartphone cao cấp đến từ Microsoft với nhiều tính năng nổi trội, một trong số đó là khả năng sạc nhanh nhờ vào công nghệ Quick Charge 2.0.

Một nguồn tin rò rỉ cho biết, bộ đôi Lumia TalkMan (940/950) và CityMan (940/950 XL) sẽ được trang bị công nghệ Quick Charge 2.0. Một thử nghiệm với công nghệ mới trên Talkman cho thấy thiết bị có khả năng sạc pin từ 10% lên 95% chỉ trong 25 phút.


Ngoài ra, cũng có thể khẳng định bộ đôi Lumia cao cấp sẽ sở hữu vi xử lý Snapdragon của Qualcomm.

Người dùng Windows Phone đã phải chờ đợi quá lâu để có thể sở hữu một chiếc flagship đúng nghĩa. Hy vọng Microsoft Lumia Talkman và CityMan sẽ sớm được ra mắt.
59Vote
41Vote
31Vote
20Vote
14Vote
3.715
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
12 Tháng Mười Một 2020
Hai quan chức cấp cao của Bộ An ninh Nội địa đã bị Nhà Trắng yêu cầu từ chức.
12 Tháng Mười Một 2020
Nhiều nhà lập pháp từ Đảng Cộng hòa đề nghị chính quyền Trump cho phép Biden nhận các thông tin tình báo quan trọng, ngầm thừa nhận chiến thắng của ông.
12 Tháng Mười Một 2020
Tổng thống đắc cử Joe Biden có thể thay đổi quan điểm trong mối quan hệ của Washington với Bắc Kinh, tăng cường củng cố vị thế hàng đầu của công nghệ Mỹ nhưng có chiến lược mềm mỏng hơn với Trung Quốc ở lĩnh vực công nghệ.
12 Tháng Mười Một 2020
Các quan chức bầu cử Mỹ khẳng định "không có bằng chứng" cho thấy các phiếu bầu bị thất lạc, thay đổi hay hệ thống bỏ phiếu bị hư hỏng
12 Tháng Mười Một 2020
Hôm thứ Năm (2/11/2020), chính quyền Trump đã ký sắc lệnh cấm các công ty Mỹ đầu tư 31 doanh nghiệp bị cáo buộc có liên quan với quân đội Trung Quốc, gia tăng thêm áp lực lên Bắc Kinh.
12 Tháng Mười Một 2020
Tháng 11/2020, Samsung chính thức ra mắt chip xử lý Exynos 1080. Bộ vi xử lý mới được sản xuất trên tiến trình EUV FinFET 5nm của công ty.