Tháng 09/2015, Qualcomm đã công bố công nghệ sạc nhanh Quick Charge thế hệ thứ 3, với tên gọi Quick Charge 3.0. Công nghệ sạc nhanh thế hệ mới có thể giúp sạc pin thiết bị từ 0% lên 80% chỉ trong vòng 35 phút.
Theo đó, Quick Charge 3.0 sẽ được tích hợp bên trong bộ xử lý Snapdragon 820 và có mặt trên các thiết bị di động vào 2016. Ngoài ra, Qualcomm cho biết cũng sẽ trang bị sạc nhanh thế hệ mới trên Snapdragon 620, 618, 617 và 430.
So với các thế hệ tiền nhiệm, Quick Charge 3.0 hứa hẹn sẽ đem đến nhiều cải tiến, với tốc độ nhanh hơn 27% Quick Charge 2.0, nhanh gấp đôi so với Quick Charge 1.0.
Về điện áp, nếu Quick Charge 2.0 cung cấp bốn điện áp sạc 5V, 9V, 12V và 20V, Quick Charge 3.0 cung cấp sự linh hoạt từ 3.6V đến 20V. Điều này sẽ cho phép điện thoại chỉ cần đủ điện áp để đạt được kết quả mong muốn, dẫn đến giảm thiệt hại, tăng hiệu quả, và cải thiện hiệu suất nhiệt.
Về tính tương thích, Qualcomm cho biết Quick Charge 3.0 cũng sẽ phù hợp với các thiết bị cũ, bao gồm cả kết nối USB Type-C.
- Từ khóa :
- Qualcomm
- ,
- Quick Charge 3.0
- ,
- Snapdragon 820
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D925895639.-%3B)