Qualcomm Chính Thức Ra Mắt Snapdragon 820

Tuesday, November 10, 20159:00 PM(View: 21291)
Qualcomm Chính Thức Ra Mắt Snapdragon 820
Qualcomm Chính Thức Ra Mắt Snapdragon 820 1
Trung tuần tháng 11/2015, Qualcomm đã chính thức ra mắt Snapdragon 820 tại New York.


Qualcomm Snapdragon 820 mang theo nhiều cải tiến về sức mạnh xử lý, đồ họa, hỗ trợ camera 28MP, sạc nhanh 3.0... Ngoài ra, sản phẩm chip mới của Qualcomm còn được tích hợp modem mới nhất, hỗ trợ X12 LTE với Cat 12 cho tốc độ tải lý thuyết 600 Mbps, Cat 13 tải lên 150 Mbps (hỗ trợ 64-QAM) hoặc Quadrature Amplitude Modulation.


Với nhu cầu chụp ảnh, quay phim, Snapdragon 820 sẽ hỗ trợ các cấu hình camera và cảm biến ảnh lên đến 28 MP, chụp ảnh và trình diễn video 4K Ultra HD, cũng như xuất hình ảnh ra thiết bị hiển thị 4K.

Về xử lý, Snapdragon 820 sử dụng cấu trúc lõi tứ (Quad-Core) Kryo 64-bit, được sản xuất trên quy trình 14nm FinFET mới nhất, giúp tiết kiệm điện năng tiêu thụ và cải thiện sức mạnh với xung nhịp lên đến 2.2GHz. Được biết, Snapdragon 820 có hiệu năng gấp đôi so với Snapdragon 810.

Cụ thể hơn, Snapdragon 820 có 4 nhân chia làm hai cụm, một cụm chạy ở xung nhịp tối đa 2.2 GHz, có khả năng giải quyết những tác vụ nặng, cụm còn lại chỉ chạy ở mức cao nhất là 1.6 GHz hoặc 1.7 GHz, để xử lý những việc nhẹ hơn để tiết kiệm pin hơn. Mỗi cụm sẽ sở hữu 1 bộ nhớ cache L2 riêng, bộ nhớ cache L3 sẽ chia sẻ chung cho cả chipset. Qualcomm cho biết, cấu hình cache của mỗi cụm sẽ khác nhưng không tiết lộ khác điểm nào.

Lý do khiến Snapdragon 820 lõi tứ có ít nhân hơn so với Snapdragon 810 lõi 8 là vì nhân Kyro do chính Qualcomm phát triển có hiệu năng cao hơn so với nhân có sẵn như Cortex-A53 hay A57 trên Snapdragon 810. Qualcomm công bố Snapdragon 820 tiêu hao ít điện năng hơn 30% so với Snapdragon 810 ở cùng mức độ tải.

Qualcomm Chính Thức Ra Mắt Snapdragon 820 2
Về đồ họa, GPU Adreno 530 sẽ cải thiện hiệu năng 40% so với Adreno 430. Các kết nối không dây cũng được bổ sung công nghệ tiên tiến như WiFi chuẩn 802.11ad và 802.11ac 2x2 MU-MIMO, cho phép tăng tốc kết nối từ 2 đến 3 lần chuẩn 802.11ac không có MU-MIMO.

Bên cạnh đó, Snapdragon cũng sẽ hỗ trợ công nghệ sạc nhanh Quick Charge 3.0, USB 3.0 cùng nhiều tính năng khác, chẳng hạn như xử lý hình ảnh, cho phép xử lý ảnh sáng hơn khi chụp trong điều kiện thiếu sáng.

Hơn nữa, Snapdragon 820 cũng sẽ hỗ trợ cho Sense ID, công nghệ dùng sóng siêu âm để nhận diện vân tay với độ chính xác cao, và dùng được cho nhiều bề mặt như nhôm, kính. Điều này có nghĩa là, cảm biến vân tay Sense ID sẽ có thể được trang bị chìm vào trong lớp vỏ của các thiết bị di động, không phải lộ diện như cảm biến vân tay điện dung hiện đang có mặt trên loạt iPhone, Galaxy Note, Galaxy S, LG V10 hay HTC One Series.

Cuối cùng, hy vọng người dùng sẽ sớm được trải nghiệm các tính năng mới của Snapdragon 820. Đặc biệt, vấn đề quá nhiệt từng xảy ra trên Snapdragon 810 sẽ thực sự được khắc phục trên Snapdragon 820.
529Vote
49Vote
310Vote
216Vote
112Vote
3.476
Send comment
Off
Telex
VNI
Your Name
Your email address
Add a posting
Wednesday, December 23, 2020
Theo một thử nghiệm đo tốc độ mạng 5G của nhà mạng Verizon tại Mỹ, khá bất ngờ khi tốc độ mạng 5G mới được lắp đặt còn chậm hơn cả mạng 4G LTE.
Wednesday, December 23, 2020
Khi bóng của Mặt trăng lướt ngang qua bán cầu nam của Trái đất vào ngày 14 tháng 12, những người quan sát bầu trời đã được coi màn nhật thực toàn phần duy nhất vào năm 2020.
Tuesday, December 22, 2020
Hôm thứ Ba (22/12/2020), Đài Loan đã báo cáo ca nhiễm Covid-19 trong cộng đồng đầu tiên sau hơn 8 tháng
Tuesday, December 22, 2020
Tổng thống Nga Vladimir Putin đã ký phê chuẩn luật cho phép các cựu tổng thống Nga được hưởng quyền miễn trừ truy cứu trách nhiệm hình sự trọn đời.
Tuesday, December 22, 2020
Ông Biden kêu gọi ông Trump quy trách nhiệm cho Nga tấn công mạng nhằm vào các cơ quan chính phủ Mỹ, đồng thời cảnh báo sẽ đáp trả khi ông lên nắm quyền.
Tuesday, December 22, 2020
Hôm thứ Ba (22/12/2020), tổng thống Donald Trump tuyên bố ân xá cho 15 người, bao gồm các đồng minh đảng Cộng hòa và cựu quan chức chiến dịch năm 2016.