Trung tuần tháng 01/2016, Samsung tuyên bố đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các gói DRAM 4GB dựa trên cấu hình HBM2 (High Bandwidth Memory thế hệ 2), đáp ứng cho các nhu cầu hiệu suất cao.
Theo Samsung, hiệu năng của chip DRAM thế hệ mới có thể cao gấp 7 lần so với thế hệ hiện hành, có thể phục vụ cho các công việc tính toán khoa học, dựng đồ họa, trí tuệ nhân tạo, quản lý mạng lưới cấp doanh nghiệp.
Quy trình sản xuất áp dụng cho DRAM thế hệ mới là quy trình 20nm, hứa hẹn sẽ tăng hiệu quả tiêu thụ năng lượng của chip. Được biết, DRAM HBM2 của Samsung có băng thông 256GBps, gấp 2 lần HBM1, gấp 7 lần so với DRAM GDDR5, đồng thời vẫn có chức năng tự sửa lỗi ECC.
Samsung chia sẻ thêm, DRAM HBM2 thế hệ mới sử dụng 4 lớp khối nhớ xếp chồng lên nhau, mỗi lớp là 8Gb. Một đường nội liên kết sẽ đi xuyên qua các lỗ TSV để nối với khối nhớ khác. Trên một khối có đến hơn 5000 lỗ TSV. So với loại được dùng trong RAM DDR4 thì mật độ cao gấp 36 lần. Nhờ đó, tốc độ truyền tải dữ liệu sẽ trở nên nhanh hơn.
Trong năm 2016, Samsung cũng đã lên kế hoạch sản xuất gói DRAM HBM2 với dung lượng 8GB dùng cho card đồ họa. Sản phẩm có thể sẽ thay thế cho DRAM GDDR5 truyền thống hiện hành. Được biết, các GPU tương lai của cả NVIDIA và AMD đều sẽ chuyển sang sử dụng HBM2.
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D176597497.-%3B)