Samsung Giới Thiệu Chip Nhớ Mới Có Dung Lượng 256 GB

27 Tháng Hai 20169:00 CH(Xem: 23670)
Samsung Giới Thiệu Chip Nhớ Mới Có Dung Lượng 256 GB
blank
Hạ tuần tháng 02/2016, Samsung đã công bố chip nhớ 256 GB sử dụng định dạng UFS 2.0 mới, rất có thể sẽ được trang bị trên Galaxy Note 6 và Galaxy S7 Edge+, trở thành smartphone đầu tiên trên thế giới có bộ nhớ 256 GB.

Với định dạng UFS 2.0, chip nhớ 256 GB mới của Samsung hứa hẹn sẽ cho tốc độ đọc ghi vượt trội. Cụ thể, chip nhớ mới của Samsung sẽ có tốc độ đọc sẽ lên đến 850 MB/s còn tốc độ ghi lên đến 260 MB/s, cao gấp 3 lần tốc độ thẻ nhớ microSD cao cấp hiện nay. Thậm chí, chip nhớ mới của Samsung còn có có thể đọc và ghi đồng thời.


Trước đó, Samsung đã từng giới thiệu chip nhớ UFS 2.0 dung lượng 128 GB đầu tiên của hãng cùng smartphone Galaxy S6, hiện vẫn được sử dụng trên bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge.

Sắp tới, có thể Galaxy Note 6 sẽ được trang bị chip nhớ mới, cho phép bộ nhớ trong có dung lượng lên đến 256GB. Cùng với đó có thể sẽ là Galaxy S7 Edge+, phiên bản phablet của S7 Edge.
544Vote
48Vote
311Vote
210Vote
110Vote
3.883
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
05 Tháng Giêng 2021
Tổng thống Nga Vladimir Putin và Thủ tướng Đức Angela Merkel đã thảo luận về khả năng cùng sản xuất vaccine Covid-19 trong một cuộc điện đàm hôm thứ Ba (05/01/2021).
05 Tháng Giêng 2021
Chính phủ Anh cho biết lệnh phong tỏa toàn quốc mới có thể được duy trì ít nhất đến tháng 03/2021, một số biện pháp thậm chí kéo dài hơn.
05 Tháng Giêng 2021
Hôm thứ Ba (05/01/2021), Tổng thống Donald Trump đã ký sắc lệnh cấm giao dịch với 8 ứng dụng Trung Quốc, gia tăng thêm căng thẳng với Bắc Kinh trước khi chuyển giao quyền lực.
05 Tháng Giêng 2021
Apple được cho là đang lên kế hoạch ra mắt phiên bản sạc USB-C nhỏ hơn và nhẹ hơn.
05 Tháng Giêng 2021
Microsoft đang lên kế hoạch thay đổi giao diện của hệ điều hành Windows, được cho sẽ là một cuộc đại tu, để trẻ hóa giao diện và khẳng định với người dùng rằng “Windows is BACK”
05 Tháng Giêng 2021
Theo một số báo cáo gần đây, hai quy trình TSMC FinFET và Samsung GAA đang gặp phải những khó khăn khác nhau nhưng đều có ảnh hưởng rất lớn tới quy trình sản xuất chip 3nm.