Hạ tuần tháng 02/2016, Samsung đã công bố chip nhớ 256 GB sử dụng định dạng UFS 2.0 mới, rất có thể sẽ được trang bị trên Galaxy Note 6 và Galaxy S7 Edge+, trở thành smartphone đầu tiên trên thế giới có bộ nhớ 256 GB.
Với định dạng UFS 2.0, chip nhớ 256 GB mới của Samsung hứa hẹn sẽ cho tốc độ đọc ghi vượt trội. Cụ thể, chip nhớ mới của Samsung sẽ có tốc độ đọc sẽ lên đến 850 MB/s còn tốc độ ghi lên đến 260 MB/s, cao gấp 3 lần tốc độ thẻ nhớ microSD cao cấp hiện nay. Thậm chí, chip nhớ mới của Samsung còn có có thể đọc và ghi đồng thời.
Trước đó, Samsung đã từng giới thiệu chip nhớ UFS 2.0 dung lượng 128 GB đầu tiên của hãng cùng smartphone Galaxy S6, hiện vẫn được sử dụng trên bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge.
Sắp tới, có thể Galaxy Note 6 sẽ được trang bị chip nhớ mới, cho phép bộ nhớ trong có dung lượng lên đến 256GB. Cùng với đó có thể sẽ là Galaxy S7 Edge+, phiên bản phablet của S7 Edge.
- Từ khóa :
- Samsung
- ,
- Galaxy Note 6
- ,
- Galaxy S7 Edge+
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D479849528.-%3B)