Samsung Galaxy S7: Hệ Điều Hành Chiếm 8GB Bộ Nhớ Trong

03 Tháng Ba 20166:00 CH(Xem: 22654)
Samsung Galaxy S7: Hệ Điều Hành Chiếm 8GB Bộ Nhớ Trong
blank
Đã từ lâu, người dùng Samsung thường phàn nàn rất nhiều về việc hãng cài đặt sẵn quá nhiều ứng dụng trên các smartphone làm tiêu tốn khá nhiều dung lượng bộ nhớ. Với bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge, có vẻ như tình hình cũng không lạc quan hơn.

Được biết, khi vừa xuất xưởng, bộ đôi Galaxy S7/S7 Edge đã chiếm đến 8 GB dung lượng bộ nhớ trong cho nền tảng Android và các ứng dụng kèm theo của Samsung. Như vậy, nếu chọn mua phiên bản bộ nhớ trong 32GB, người dùng sẽ chỉ còn khoảng 20 GB cho việc lưu trữ hình ảnh, video và cài đặt ứng dụng khác.


Tuy nhiên, khác với thế hệ tiền nhiệm, Samsung Galaxy 7 và S7 Edge đã được trang bị lại khe thẻ nhớ mở rộng microSD. Người dùng có thể di chuyển các ứng dụng, phần mềm từ bộ nhớ trong sang thẻ nhớ, có thể hỗ trợ cho thẻ nhớ dung lượng lên đến 200 GB.
531Vote
45Vote
311Vote
211Vote
15Vote
3.763
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
12 Tháng Mười Một 2020
Hai quan chức cấp cao của Bộ An ninh Nội địa đã bị Nhà Trắng yêu cầu từ chức.
12 Tháng Mười Một 2020
Nhiều nhà lập pháp từ Đảng Cộng hòa đề nghị chính quyền Trump cho phép Biden nhận các thông tin tình báo quan trọng, ngầm thừa nhận chiến thắng của ông.
12 Tháng Mười Một 2020
Tổng thống đắc cử Joe Biden có thể thay đổi quan điểm trong mối quan hệ của Washington với Bắc Kinh, tăng cường củng cố vị thế hàng đầu của công nghệ Mỹ nhưng có chiến lược mềm mỏng hơn với Trung Quốc ở lĩnh vực công nghệ.
12 Tháng Mười Một 2020
Các quan chức bầu cử Mỹ khẳng định "không có bằng chứng" cho thấy các phiếu bầu bị thất lạc, thay đổi hay hệ thống bỏ phiếu bị hư hỏng
12 Tháng Mười Một 2020
Hôm thứ Năm (2/11/2020), chính quyền Trump đã ký sắc lệnh cấm các công ty Mỹ đầu tư 31 doanh nghiệp bị cáo buộc có liên quan với quân đội Trung Quốc, gia tăng thêm áp lực lên Bắc Kinh.
12 Tháng Mười Một 2020
Tháng 11/2020, Samsung chính thức ra mắt chip xử lý Exynos 1080. Bộ vi xử lý mới được sản xuất trên tiến trình EUV FinFET 5nm của công ty.