Galaxy S7 Active Có Thể Đang Được AT&T Thử Nghiệm

26 Tháng Ba 20167:00 CH(Xem: 20860)
Galaxy S7 Active Có Thể Đang Được AT&T Thử Nghiệm
blank
Bộ đôi smartphone cao cấp mới Galaxy S7 và S7 Edge của Samsung đã được ra mắt tại sự kiện MWC 2016 và được phát hành từ tháng 03/2016.

Hạ tuần tháng 03/2016, Evan Blass, người chuyên cung cấp nguồn tin rò rỉ tin cậy, đã đưa thông tin về việc nhà mạng AT&T đang thử nghiệm chiếc điện thoại có tên mã SM-G891A.

blank

Trước đó, Samsung đã từng ra mắt Galaxy S6 Active với tên mã G890A. Nên rất có thể chiếc điện thoại mà nhà mạng AT&T đang đưa vào thử nghiệm chính là một biến thể của Galaxy S7: Galaxy S7 Active.

Dòng phiên bản Active của Samsung thường được thay đổi thiết kế bên ngoài để đảm bảo khả năng chịu được nhiều yếu tố tác động từ môi trường khắc nghiệt. Hiện chưa có thông tin chính thức từ Samsung cũng như AT&T. Các thông tin mới sẽ được cập nhật sớm nhất có thể.
515Vote
45Vote
37Vote
26Vote
17Vote
3.440
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
12 Tháng Mười Một 2020
Hai quan chức cấp cao của Bộ An ninh Nội địa đã bị Nhà Trắng yêu cầu từ chức.
12 Tháng Mười Một 2020
Nhiều nhà lập pháp từ Đảng Cộng hòa đề nghị chính quyền Trump cho phép Biden nhận các thông tin tình báo quan trọng, ngầm thừa nhận chiến thắng của ông.
12 Tháng Mười Một 2020
Tổng thống đắc cử Joe Biden có thể thay đổi quan điểm trong mối quan hệ của Washington với Bắc Kinh, tăng cường củng cố vị thế hàng đầu của công nghệ Mỹ nhưng có chiến lược mềm mỏng hơn với Trung Quốc ở lĩnh vực công nghệ.
12 Tháng Mười Một 2020
Các quan chức bầu cử Mỹ khẳng định "không có bằng chứng" cho thấy các phiếu bầu bị thất lạc, thay đổi hay hệ thống bỏ phiếu bị hư hỏng
12 Tháng Mười Một 2020
Hôm thứ Năm (2/11/2020), chính quyền Trump đã ký sắc lệnh cấm các công ty Mỹ đầu tư 31 doanh nghiệp bị cáo buộc có liên quan với quân đội Trung Quốc, gia tăng thêm áp lực lên Bắc Kinh.
12 Tháng Mười Một 2020
Tháng 11/2020, Samsung chính thức ra mắt chip xử lý Exynos 1080. Bộ vi xử lý mới được sản xuất trên tiến trình EUV FinFET 5nm của công ty.