Qualcomm Chính Thức Ra Mắt Snapdragon 835

Trung tuần tháng 11/2016, Qualcomm đã chính thức ra mắt Snapdragon 835 – thế hệ vi xử lý mới nhất, dự kiến sẽ có mặt trên các thiết bị di động cao cấp vào đầu năm 2017.

Qualcomm hiện vẫn chưa công bố nhiều thông tin kỹ thuật về Snapdragon 835. Điểm nâng cấp lớn nhất được đề cập là chip sẽ được sản xuất trên tiến trình 10nm FinFET của Samsung, so với 14nm của các thế hệ Snapdragon 820/821 trước đó. Theo Qualcomm, việc sử dụng tiến trình nhỏ hơn sẽ giúp kích thước của con chip nhỏ hơn, cho phép các nhà sản xuất cải tiến các linh kiện còn lại, chẳng hạn như tăng dung lượng pin hoặc giảm độ mỏng của máy.

Qualcomm cũng tiết lộ về Quick Charge 4.0 – công nghệ sạc nhanh được tích hợp trên các sản phẩm sử dụng chip Snapdragon 835. Qualcomm cho biết, Quick Charge 4.0  cho tốc độ sạc nhanh hơn, khả năng tương thích tốt hơn với nhiều thiết bị, dây sạc và nguồn sạc, và đảm bảo bảo vệ sự an toàn của người dùng đến mức tối đa. Người dùng sẽ có thể sạc smartphone từ 0% lên 50% chỉ trong 15 phút.

Nếu so sánh với Quick Charge 3.0, thế hệ 4.0 mang đến nhiều cải tiến như tốc độ sạc nhanh hơn 20% và hiệu quả hơn 30%. Ngoài ra, Quick Charge 4.0 cũng hỗ trợ đầy đủ chuẩn kết nối USB-C, bao gồm công nghệ truyền điện năng qua USB (USB Power Delivery) cũng như tiêu chuẩn được Google đặt ra, bao gồm khả năng đo điện áp chuẩn xác hơn, cũng như liên tục giám sát nhiệt độ để đảm bảo an toàn.

Cùng với đó, những công nghệ như "Battery Saver" giúp tăng tuổi thọ của pin, hay "Dual Charge" bổ sung thêm một IC quản lý điện năng nhằm tránh quá tải và tăng hiệu suất sạc, cũng là những nâng cấp đáng chú ý của Quick Charge 4.0.