Tính đến hạ tuần tháng 12/2016, thị phần của Samsung trên thị trường DRAM đã, đang và sẽ khó bị ảnh hưởng trong một khoảng thời gian dài. Tuy nhiên, SK Hynix, một bộ phận thuộc Hyundai, không vì thế mà nản chí, công bố chuẩn bị ra mắt chip RAM 8GB. Có thể thấy, việc ra mắt chip 8GB RAM cho các thiết bị di động cho thấy những nỗ lực của SK Hynix nhằm không bị yếu thế.
Theo đó, chip 8GB RAM mới của SK Hynix sẽ hướng tới phân khúc bình dân với các thông số không quá ấn tượng ngoài việc có dung lượng lớn. Có thể chip nhớ mới của Sk Hynix sẽ được tích hợp trong các điện thoại như Xiaomi, OnePlus hoặc Lenovo.
Được sản xuất dựa trên tiến trình 21nm, chip nhớ 8GB chắc chắn sẽ không thể cạnh tranh hiệu suất với các module RAM 8GB dựa trên tiến trình 10nm của Samsung. Xung nhịp bộ nhớ cũng sẽ thấp hơn rất nhiều do hạn chế về công nghệ. Theo các thông số được tiết lộ, các chip nhớ mới sẽ chạy ở xung nhịp 3.73 GHz, mỗi con chip sẽ bao gồm 4 module nhớ dung lượng 2 GB. Về lý thuyết, băng thông bộ nhớ sẽ đạt mức 29.8 Gb/giây.
Chắc chắn tiến trình 21nm sẽ không nổi trội so với mặt bằng chung của ngành. Tuy nhiên, các ưu điểm của nó là đủ nhanh, ít lỗi và giá thành rẻ, sẽ giúp SK Hynix có thể thu hút những nhà sản xuất muốn tăng lợi nhuận biên trên mỗi sản phẩm.
Dù 8GB RAM trên smartphone nghe khá hấp dẫn, hiệu năng của chip nhớ vẫn còn là vấn đề nghi vấn. Theo nhiều nguồn tin cậy, SK Hynix cũng sẽ ra mắt phiên bản chip nhớ tiết kiệm điện vào Q1/2017. Như vậy, các nhà sản xuất giá rẻ sẽ có thêm nhiều lựa chọn để tăng hiệu năng nhưng không tăng giá thành sản xuất của sản phẩm.
- Từ khóa :
- SK Hynix
- ,
- Samsung
- ,
- smartphone
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D519368118.-%3B)