Khoảng cuối tháng 04/2017, Samsung đã hợp tác cùng với IBM để nghiên cứu và phát triển công nghệ bộ nhớ mới, được khẳng định là có tốc độ nhanh nhất thế giới. Công nghệ bộ nhớ mới có tên là Magnetoresistive RAM, viết tắt là MRAM.
Được biết, bộ nhớ MRAM sử dụng công nghệ truyền tải mô-men xoắn để đọc và ghi dữ liệu với tốc độ nhanh gấp 100,000 lần bộ nhớ NAND flash trong các ổ SSD. Dữ liệu vẫn sẽ được lưu trữ ngay cả khi không cung cấp nguồn điện.
Samsung cho biết, bộ nhớ MRAM mới sẽ được trang bị cho các thiết bị di động, Internet of Things (Đồ dùng kết nối) với khả năng tiết kiệm điện năng tối đa. Bộ nhớ mới chỉ sử dụng điện năng khi đọc và ghi dữ liệu, và đặc biệt sẽ không cần tới nguồn điện cung cấp liên tục như bộ nhớ DRAM.
Tuy nhiên, quá trình sản xuất bộ nhớ MRAM hiện vẫn đang gặp còn một số khó khăn, nên số lượng các bộ nhớ MRAM đầu tiên được ra mắt sẽ bị hạn chế. Trước mắt sẽ chỉ có nhà sản xuất chip NXP được sử dụng bộ nhớ MRAM mới trên các thiết bị Internet of Things hoặc một số vi điều khiển của họ.
Sau khi được cải thiện quá trình sản xuất, bộ nhớ MRAM sẽ được trang bị cho smartphone và các thiết bị di động. Samsung sẽ chính thức ra mắt bộ nhớ MRAM tại sự kiện Samsung Foundry Forum, diễn ra vào ngày 24/05/2017. Các thông tin mới sẽ được cập nhật sớm nhất có thể.
Gửi ý kiến của bạn
%7Cutmcsr%3D(direct)%7Cutmcmd%3D(none)%3B%2B__utmv%3D481760590.-%3B)