FCC Cấp Phép Sản Xuất WattUp Mid Field

27 Tháng Mười Hai 201712:29 SA(Xem: 17412)
FCC Cấp Phép Sản Xuất WattUp Mid Field
FCC Cấp Phép Sản Xuất WattUp Mid Field

Khoảng cuối tháng 12/2017, Ủy ban Truyền thông Liên bang Mỹ FCC đã cấp phép đồng ý cho việc sản xuất WattUp Mid Field.

 

Đây là bước tiến quan trọng đối với một sản phẩm công nghệ, giúp nó sớm được thương mại hóa. WattUp Mid Field là một thiết bị sạc không dây, có khả năng sạc từ xa tối đa 1 mét, và đặc biệt có thể sạc được nhiều thiết bị cùng lúc.

 

Energous, hãng phát triển WattUp Mid Field, cho biết thiết bị sẽ biến đổi dòng điện sang tần số radio, sau đó dùng tần số để sạc cho điện thoại, tablet, phụ kiện có tích hợp receiver sạc tương thích trong phạm vi bán kính 1 mét. Đây là một lợi thế lớn đối với những dock sạc không dây hiện nay, vì chúng yêu cầu phải đặt điện thoại lên đế sạc và thường chỉ sạc được mỗi lần 1 máy.

 

Hãng cũng cho biết sẽ trình diễn công nghệ sạc không dây từ xa tại triển lãm CES 2018, diễn ra tại Las Vegas từ ngày 9 đến 12 tháng 1 năm 2018.

526Vote
42Vote
35Vote
210Vote
110Vote
3.553
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
05 Tháng Giêng 2021
Tổng thống Nga Vladimir Putin và Thủ tướng Đức Angela Merkel đã thảo luận về khả năng cùng sản xuất vaccine Covid-19 trong một cuộc điện đàm hôm thứ Ba (05/01/2021).
05 Tháng Giêng 2021
Chính phủ Anh cho biết lệnh phong tỏa toàn quốc mới có thể được duy trì ít nhất đến tháng 03/2021, một số biện pháp thậm chí kéo dài hơn.
05 Tháng Giêng 2021
Hôm thứ Ba (05/01/2021), Tổng thống Donald Trump đã ký sắc lệnh cấm giao dịch với 8 ứng dụng Trung Quốc, gia tăng thêm căng thẳng với Bắc Kinh trước khi chuyển giao quyền lực.
05 Tháng Giêng 2021
Apple được cho là đang lên kế hoạch ra mắt phiên bản sạc USB-C nhỏ hơn và nhẹ hơn.
05 Tháng Giêng 2021
Microsoft đang lên kế hoạch thay đổi giao diện của hệ điều hành Windows, được cho sẽ là một cuộc đại tu, để trẻ hóa giao diện và khẳng định với người dùng rằng “Windows is BACK”
05 Tháng Giêng 2021
Theo một số báo cáo gần đây, hai quy trình TSMC FinFET và Samsung GAA đang gặp phải những khó khăn khác nhau nhưng đều có ảnh hưởng rất lớn tới quy trình sản xuất chip 3nm.