Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16416)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
10 Tháng Giêng 2021
Sau vụ bạo loạn ở Quốc hội, Chủ tịch Hạ viện Mỹ Nancy Pelosi cùng một số lãnh đạo đảng Dân chủ kêu gọi Phó tổng thống Mike Pence kích hoạt Tu chính án thứ 25 để phế truất Tổng thống. Tuy nhiên, ông Pence được cho là đã từ chối.
08 Tháng Giêng 2021
Nhiều người ủng hộ ông xông vào Đồi Capitol đã không đeo khẩu trang hay giữ khoảng cách với nhau. Nhiều cuộc tụ tập tương tự như vậy đã trở thành các sự kiện siêu lây nhiễm.
08 Tháng Giêng 2021
Thỏa thuận bao gồm 243,6 triệu USD tiền phạt hình sự, 1,77 tỷ USD bồi thường cho các hãng hàng không và 500 triệu USD bồi thường cho gia đình các nạn nhân của hai vụ rơi máy bay.
07 Tháng Giêng 2021
Theo Tu chính án thứ 25, nếu phó tổng thống và đa số bộ trưởng trong nội các Mỹ thống nhất rằng tổng thống "không thể đảm trách quyền hạn và trách nhiệm", phó tổng thống sẽ lên nắm quyền.
07 Tháng Giêng 2021
CEO Facebook Mark Zuckerberg cho biết, sau cuộc bạo loạn trên Đồi Capitol, Facebook sẽ khóa tài khoản của Tổng thống Donald Trump trên nền tảng của mình đến "vô thời hạn".
07 Tháng Giêng 2021
Hôm thứ Năm (07/01/2021), Trung Quốc đe dọa Mỹ sẽ "trả giá đắt" nếu Đại sứ Liên Hợp Quốc Kelly Craft vẫn đến thăm Đài Loan theo kế hoạch.