Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16684)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
18 Tháng Hai 2020
Một thẩm phán liên bang ở Texas hôm thứ Ba (18/02/2020) đã bác bỏ đơn kiện của nhà sản xuất thiết bị viễn thông Trung Quốc Huawei Technologies
18 Tháng Hai 2020
Samsung Electronics đã ra mắt dịch vụ giao sản phẩm mới đến tận nhà cho khách hàng trải nghiệm, vì sự lây lan của coronavirus đã công ty hủy bỏ các sự kiện quảng cáo, khiến doanh số các cửa hàng yếu đi.
18 Tháng Hai 2020
Ủy ban Châu Âu cho biết sẽ đưa ra một loạt các đề xuất đầu tiên để giúp các công ty Châu Âu khai thác kho dữ liệu công nghiệp phong phú của họ, đồng thời kiềm chế các công ty công nghệ khổng lồ của Mỹ như Facebook, Alphabet, Google và Amazon.com.
18 Tháng Hai 2020
Chính quyền Trump cho biết sẽ bắt đầu đối xử với năm đơn vị truyền thông lớn của nhà nước Trung Quốc với các hoạt động ở Mỹ giống như các đại sứ quán nước ngoài, yêu cầu họ phải báo cáo thông tin nhân viên và tài sản Mỹ với Bộ Ngoại giao.
18 Tháng Hai 2020
Thứ Tư (19/02/2020), Nga cho biết sẽ cấm các công dân Trung Quốc nhập cảnh bắt đầu kể từ ngày 20/02/2020, như một biện pháp nhằm ngăn chặn dịch bệnh coronavirus (Covid-19) lây lan.
18 Tháng Hai 2020
Samsung Electronics là đối tượng được hưởng lợi chính trong các vấn đề sản xuất tại Trung Quốc mà Apple công bố hôm thứ Hai (17/02/2020)