Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16831)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
07 Tháng Mười Một 2019
Tướng Philippines cho biết, Trung Quốc bắn pháo sáng xua đuổi máy bay quân sự Philippines gần đảo nhân tạo bồi đắp trái phép trên Biển Đông.
07 Tháng Mười Một 2019
Theo bản điều trần của Hạ viện, Đại sứ Mỹ tại EU Gordon Sondland từng nói với Ukraine rằng Mỹ chỉ viện trợ nếu họ điều tra Joe Biden.
07 Tháng Mười Một 2019
Khoảng đầu tháng 11/2019, Ủy ban Thương mại Liên bang Mỹ (FTC) cho biết AT&T sẽ phải trả 60 triệu USD để giải quyết các cáo buộc gây nhầm lẫn cho người dùng di động về gói cước không giới hạn
07 Tháng Mười Một 2019
Từ quan điểm chính trị, thương chiến Mỹ Trung có thể có người thắng kẻ thua nhưng dưới góc độ kinh tế, cả hai đều đang thua. Điều này lý giải vì sao cả Mỹ và Trung Quốc đều đang nỗ lực đàm phán thỏa thuận thương mại.
07 Tháng Mười Một 2019
Khoảng đầu tháng 11/2019, Google đã công bố bản cập nhật hàng tháng cho những chiếc smartphone của hãng, tuy nhiên Pixel và Pixel XL không nằm trong số những thiết bị được nhận bản cập nhật.
06 Tháng Mười Một 2019
Khoảng đầu tháng 11/2019, tập đoàn dầu khí Saudi Aramco cho biết kế hoạch IPO (chào bán cổ phiếu lần đầu ra công chúng) của công ty đã được phê chuẩn và dự kiến sẽ niêm yết trên sàn giao dịch chứng khoán Tadawul tại Riyadh, Saudi Arabia.