Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16853)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
27 Tháng Mười 2019
Phó đô đốc Alexander Moiseyev cho biết, một cuộc thám hiểm vào tháng 8 và tháng 9 năm 2019 đã lập biểu đồ cho các hòn đảo mới vẫn chưa được đặt tên bởi trước đây chúng bị ẩn giấu dưới sông băng, người đứng đầu hạm đội phía bắc và đoàn thám hiểm.
26 Tháng Mười 2019
Hơn nữa, với việc cắt giảm triển vọng lợi nhuận đến năm 2020, Nokia cho biết sẽ dừng việc chia cổ tức trong 6 tháng tiếp theo.
26 Tháng Mười 2019
Công nghệ cấy ghép thần kinh sử dụng chất liệu sợi platinum mỏng có tính đàn hồi sẽ có thể giúp rất nhiều bệnh nhân có thể khôi phục thính lực hiệu quả hơn nhiều so với các phương pháp phẫu thuật, cấy ghép truyền thống.
26 Tháng Mười 2019
Bộ trưởng Bộ Thương mại Nhật Bản Isshu Sugawara từ chức vì cáo buộc nói rằng văn phòng của ông đã viếng tiền mặt và tặng quà cho người ủng hộ - một hành động vi phạm luật bầu cử của Nhật.
26 Tháng Mười 2019
Ngân hàng Trung ương Indonesia (Bank of Indonesia) tiến hành đợt cắt giảm lãi suất thứ tư liên tiếp trong vòng chỉ 4 tháng, trong bối cảnh triển vọng tăng trưởng kinh tế toàn cầu yếu đi, đồng thời cho biết bất kỳ động chính sách thái tiếp theo nào cũng sẽ tùy thuộc vào các dữ liệu kinh tế.
26 Tháng Mười 2019
Trong những ngôi nhà trên khắp thủ đô Nepal, những sản phẩm tái chế như chiếc chậu cho đến đèn đều có thể làm từ rác thải thu gom trên đỉnh Everest. Việc này ngày một phổ biến khi các nhà chức trách và doanh nghiệp loay hoay tìm cách khắc phục thiệt hại môi trường do việc thương mại hóa hoạt động leo núi gây ra.