Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16860)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
20 Tháng Mười 2019
Khoảng giữa tháng 10/2019, theo trang The Elec của Hàn Quốc, Samsung có thể đang thử nghiệm và chuẩn bị sản xuất quy mô lớn màn hình có camera trước giấu phía dưới panel OLED.
20 Tháng Mười 2019
Công nghệ đang được ứng dụng trong mọi mặt của đời sống, từ đảm bảo an ninh tại sân bay, phòng chống tội phạm cho tới phân loại rác tại Trung Quốc.
20 Tháng Mười 2019
Một lỗ hổng bảo mật nghiêm trọng trên Galaxy S10 được phát hiện sau khi Lisa Neilson, người dùng tại Anh, phát hiện điện thoại của cô có thể mở khóa bằng các dấu vân tay chưa ghi danh.
20 Tháng Mười 2019
Thế vận hội Olympic 2020 sẽ diễn ra vào mùa hè năm 2020 tại Nhật Bản. Đất nước Mặt Trời mọc dự tính sẽ đón hàng triệu lượt khách đến từ khắp nơi trên thế giới.
19 Tháng Mười 2019
Khoảng gữa tháng 10/2019, một vụ việc dở khóc dở cười liên quan tới Google Maps - ứng dụng bản đồ và chỉ đường phổ biến nhất thế giới - đã bất ngờ xảy ra: Thị trưởng thành phố Sardinia (thuộc Italy) đã quyết định cấm lưu hành ứng dụng Google Maps trên lãnh thổ, vì đã có quá nhiều khách du lịch bị lạc do nghe lời chỉ đường của Google Maps.
19 Tháng Mười 2019
Kể cả khi có thể di chuyển bằng vận tốc năm ánh sáng, ta vẫn phải mất rất nhiều năm Trái Đất để đến được hệ sao gần nhất.