Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16876)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
11 Tháng Mười 2019
Khoảng đầu tháng 10/201, tia sáng hy vọng cuối cùng cũng đã mở ra đối với Huawei vì các công ty công nghệ tại Mỹ có thể có cơ hội để hợp tác trở lại.
10 Tháng Mười 2019
Giải Nobel vật lý năm 2019 thuộc về ba nhà khoa học là James Peebles, Michel Mayor và Didier Queloz vì sự nghiên cứu để hiểu rõ cấu trúc và lịch sử của vũ trụ, đồng thời là một công trình khám phá mới về một hành tinh có quỹ đạo quanh một ngôi sao bên ngoài hệ Mặt Trời.
10 Tháng Mười 2019
Dòng Galaxy Note 10 khiến khá nhiều người e ngại với mức giá đắt đỏ, nhưng mọi thứ có thể thay đổi vào năm sau khi Samsung tung ra biến thể giá rẻ của thiết bị
10 Tháng Mười 2019
Khoảng đầu tháng 10/2019, một nhóm những nhà nghiên cứu từ Đại học Utah đã có một bước đột phá lớn về quang học khi phát triển một loại lens phẳng chỉ dày 10 micron, mỏng hơn 1,000 lần so với các ống kính thông thường. Và độ mỏng không làm giảm hiệu suất hoạt động của lens.
10 Tháng Mười 2019
Intel và AMD đã từng hợp tác để sản xuất bộ vi xử lý Kaby Lake-G, bộ vi xử lý có tích hợp chip đồ họa của AMD và do Intel sản xuất trên tiến trình của hãng. Tuy nhiên, khoảng đầu tháng 10/2019, theo tuyên bố mới, Intel sẽ chấm dứt việc sản xuất bộ vi xử lý và không có dấu hiệu nào của một bộ vi xử lý tiếp theo sẽ thay thế.
10 Tháng Mười 2019
Giải Nobel Hóa học năm 2019 thuộc về ba nhà khoa học, John Goodenough, Stanley Whittingham và Akira Yoshino với thành tựu phát triển được công nghệ pin lithium-ion có thể nạp lại năng lượng vào những năm 70 và 80 của thế kỷ trước, tạo ra một cuộc cách mạng thiết bị di động.