Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16910)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
12 Tháng Chín 2019
Khoảng giữa tháng 09/2019, trong một nghiên cứu mới được được công bố trên Tạp chí Y học New England, các nhà khoa học Trung Quốc cho biết đã cấy tế bào máu được chỉnh sửa gen vào một người vừa bị ung thư vừa nhiễm HIV. Các tế bào đã tồn tại một cách an toàn trong cơ thể bệnh nhân suốt 1.5 năm.
12 Tháng Chín 2019
Tại sao nó lại có tên là Tinh Vân Trái Tim?
12 Tháng Chín 2019
Khi con người lên vũ trụ, chúng ta sẽ cần một không gian để sinh sống. Đã có nhiều ý tưởng về việc xây dựng các ngôi nhà in 3D ngoài vũ trụ nhưng thực tế, việc in 3D các vật liệu và xây dựng bằng công nghệ in 3D không hề đơn giản, nếu không muốn nói là tốn kém.
12 Tháng Chín 2019
Khoảng đầu tháng 09/2019, sau sự kiện Apple ra mắt sản phẩm mới, ngay sau khi vừa công bố giá iPhone 11 và 11 Pro mới, hãng đồng cũng tuyên bố ngưng bán hoàn toàn iPhone XS và XS Max, iPhone 7 / 7 Plus.
12 Tháng Chín 2019
Ngày 10/09/2019, Apple chính thức ra mắt iPhone 11 trong sự kiện ra mắt sản phẩm thường niên. Đây là phiên bản nhỏ nhất trong bộ ba iPhone mới năm 2019 và được xem như thế hệ tiếp theo của chiếc iPhone XR năm 2018.
11 Tháng Chín 2019
Khoảng đầu tháng 092019, Facebook Newsroom đăng tải một bài blog, qua đó mô tả tầm quan trọng của dữ liệu địa điểm trên thiết bị mà người dùng sử dụng để truy cập mạng xã hội.