Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 17047)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
11 Tháng Tư 2019
Dựa theo chính những ý kiến thu được, những ngành công nghiệp tương ứng sẽ được khuyến khích phát triển, kiểm soát chặt chẽ hoặc bị cấm hoàn toàn. Chính sách lắng nghe ý kiến cộng đồng của Trung Quốc đã bắt đầu xuất hiện từ năm 2011.
10 Tháng Tư 2019
Trong khi đó, game lại là một ngoại lệ: 85% các trò chơi trong Top 30 chỉ có tuổi đời chưa đầy 2 năm, vì hầu hết các tựa game chỉ làm chúng ta thấy thỏa mãn trong một thời gian có hạn trước khi chúng ta muốn một thứ mới mẻ hơn.
10 Tháng Tư 2019
Trang The Guardian đưa tin, ông Alfred Keating, 59 tuổi, một cựu sỹ quan cấp cao trong hải quân New Zealand, đã xuất hiện tại Tòa án quận Auckland để đối mặt với cáo buộc cố ý quay cảnh riêng tư.
10 Tháng Tư 2019
Phần mềm gián điệp là những ứng dụng chạy nền cài đặt trên điện thoại, được sử dụng để theo dõi hoạt động của thiết bị và hoàn toàn có thể có mục đích xấu nhắm vào những cá nhân cụ thể.
10 Tháng Tư 2019
Đôi khi Sao Thổ biến mất. Nhưng nó không thực sự biến mất, nó chỉ biến mất khỏi tầm nhìn khi Mặt trăng của chúng ta di chuyển phía trước.
10 Tháng Tư 2019
Trên Windows, việc rút (eject) một chiếc USB thường có nghĩa là người dùng phải click vào tùy chọn "Safely Remove Hardware". Dù rằng đó là một lời khuyên đã có từ lâu, nhưng có lẽ trong tương lai, người dùng có thể yên tâm bỏ qua nó. Kể từ phiên bản 1809 trở đi, Windows 10 mặc định sẽ cho phép người dùng rút USB bất kỳ khi nào.