Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16508)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
25 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Năm (25/06/2020), Thượng viện Mỹ đã chấp thuận thông qua luật mới, cho phép Mỹ trừng phạt các ngân hàng có quan hệ làm ăn kinh doanh với quan chức Trung Quốc có liên quan đến việc thông qua luật an ninh Hong Kong.
25 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Năm (25/06/2020), Bộ trưởng Quốc phòng Nhật Bản Taro Kono bày tỏ mối lo ngại về các hành động của Trung Quốc ở Biển Đông và biển Hoa Đông, cho rằng cần theo dõi ý định của Bắc Kinh.
25 Tháng Sáu 2020
Tình hình dịch bệnh Covid-19 ngày tồi tệ hơn tại Mỹ đã tạo ra phép thử quan trọng với phố Wall. Khoảng thời gian trước đó, thị trường hồi phục ấn tượng sau khi giảm sâu trong tháng 03/2020.
25 Tháng Sáu 2020
Sau hơn một năm đàm phán, Bayer AG, công ty dược phẩm lớn của Đức, đã đồng ý trả tới 10.9 tỷ USD để giải quyết gần 100,000 đơn kiện nhắm vào thuốc diệt cỏ Roundup gây ung thư.
24 Tháng Sáu 2020
Quỹ Tiền tệ Quốc tế (International Monetary Fund – IMF) cho biết chính sách giãn cách xã hội vì đại dịch Covid-19 sẽ khiến GDP Mỹ giảm 8% và Trung Quốc chỉ tăng trưởng 1% năm 2020.
24 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Tư (24/06/2020), chính quyền Trump đã xác định các công ty hàng đầu Trung Quốc, bao gồm Huawei và công ty giám sát công nghệ video Hikvision, là do quân đội sở hữu hay kiểm soát.