Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16512)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
16 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Ba (16/06/2020), Tổng thống Mỹ Donald Trump đã ký sắc lệnh khuyến khích các sở cảnh sát thực hiện những tiêu chuẩn mới nhất về sử dụng vũ lực, cải thiện chia sẻ thông tin.
16 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Ba (16/06/2020), chính quyền Trump kiện cựu cố vấn an ninh quốc gia John Bolton vì cho rằng cuốn hồi ký của ông về Nhà Trắng chứa thông tin mật, tổn hại an ninh.
16 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Tư (17/06/2020), Triều Tiên tuyên bố từ chối lời đề nghị gửi đặc phái viên của Hàn Quốc và sẽ tái điều quân tới các đơn vị biên giới phi quân sự, tiếp tục làm gia tăng căng thẳng trong quan hệ với Hàn Quốc.
16 Tháng Sáu 2020
Hôm thứ Ba (16/06/2020), Bắc Kinh khuyến cáo người dân không rời thành phố, đồng thời đóng cửa toàn bộ trường học nhằm kiềm chế đợt bùng phát Covid-19 mới ở thành phố 21 triệu dân.
16 Tháng Sáu 2020
Indonesia đang có kế hoạch kiến thiết những khu công nghiệp có quy mô lớn nhất của mình ở bờ biển phía bắc đảo Java nhằm thu hút các nhà sản xuất di dời khỏi Trung Quốc.
16 Tháng Sáu 2020
Chính phủ Nhật Bản sẽ tập trung nhiều hơn với kế hoạch đưa người vào các vị trí lãnh đạo tại Liên Hợp Quốc, để đối phó ảnh hưởng ngày càng tăng của Trung Quốc.