Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16543)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
01 Tháng Sáu 2020
Quân đội Ấn Độ và Trung Quốc điều chuyển nhiều xe chiến đấu, vũ khí hạng nặng đến căn cứ gần ranh giới tại Ladakh, trong bối cảnh cuộc đối đầu giữa biên phòng hai nước tại vùng Ladakh vẫn căng thẳng suốt 25 ngày qua
01 Tháng Sáu 2020
Hôm Chủ nhật (31/05/2020), hàng trăm người đã biểu tình ở London và Berlin để chống phân biệt chủng tộc và ủng hộ các cuộc biểu tình đang lan rộng tại Mỹ.
31 Tháng Năm 2020
Samsung Electronics cho biết đã bắt đầu xây dựng một dây chuyền sản xuất nội địa mới cho chip nhớ flash NAND, để đáp ứng nhu cầu chip dành cho máy tính cá nhân và máy chủ trong bối cảnh đại dịch Covid-19 khiến nhiều người làm việc tại nhà hơn.
31 Tháng Năm 2020
Bắc Kinh đã lên kế hoạch lập Vùng Nhận dạng Phòng không (Air Defence Identification Zone – ADIZ) trên Biển Đông từ 2010, cùng thời điểm họ tuyên bố đơn phương lập ADIZ trên vùng biển Hoa Đông.
31 Tháng Năm 2020
Trang People’s Daily – cơ quan ngôn luận của chính phủ Trung Quốc – chỉ trích việc Mỹ tước trạng thái đặc biệt của Hong Kong là "can thiệp nội bộ quá sâu" và "định sẵn sẽ thất bại".
31 Tháng Năm 2020
Tối Chủ nhật (31/05/2020), thị trưởng Washington D.C Muriel Bowser ra lệnh giới nghiêm toàn thành phố từ 23h đến 6h, và huy động Vệ binh Quốc gia hỗ trợ cảnh sát đối phó người biểu tình.