Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

18 Tháng Giêng 20181:14 SA(Xem: 16536)
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt
Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt HBM2 Thế Hệ Aquabolt

Khoảng giữa tháng 01/2018, Samsung đã công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM2 thế hệ 2 có tên mã Aquabolt. Các chip nhớ mới sẽ có dung lượng 8 GB, đạt tỷ lệ truyền tải 2.4 Gbps trên mỗi pin. Để đạt được tốc độ 2.4 Gbps, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới, liên quan đến thiết kế kết nối điện theo chiều dọc qua silicon TSV và kiểm soát nhiệt độ.

 

Samsung định hướng cho dòng bộ nhớ thế hệ mới tập trung vào các ứng dụng như HPC, AI và giải pháp đồ họa. Aquabolt có kiến trúc tương tự thế hệ HBM2 Flarebolt, mỗi đế KGSD, bao gồm 8 IC bộ nhớ dung lượng 8 Gb liên kết thông qua TSV trong thiết lập xếp lớp stack 8-Hi. Mỗi KGSD có độ rộng bus nhớ 1024-bit, mỗi pin cho tốc độ truyền 2.4 Gbps, giúp băng thông của bộ nhớ có thể đạt đến 307.2 GB/s cho mỗi stack.

 

Khi hiệp hội JEDEC công bố cấu hình HBM2 từ hồi năm 2015, cấu hình chỉ đưa ra 3 chuẩn tốc độ dành cho loại bộ nhớ bao gồm 1 Gbps, 1,6 Gbps và 2 Gbps ở điện áp 1,2 V dành cho nhân và hệ thống truy xuất I/O tương ứng với các tham số timing. Các nhà sản xuất được tự do thử nghiệm tốc độ, và phát triển các sản phẩm thực tế theo yêu cầu của riêng về hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Trong khi đó, bộ nhớ HBM2 tiêu chuẩn có tốc độ là 1.6 Gbps hoặc 2 Gbps với xung nhịp thực tế lần lượt là 800 MHz và 1 GHz. Nên để đạt tốc độ trên 2 Gbps, Samsung đã tăng điện áp đầu vào cho HBM2 lên thành 1.35 V, trên mức cho phép của cấu hình nhưng vẫn có thể sản xuất hàng loạt như trên thế hệ Flarebolt trước đây.

 

Tuy nhiên, thế hệ HBM2 Aquabolt mới hoạt động ở tốc độ 2.4 Gbps, cao hơn thiết kế tiêu chuẩn, nhưng vẫn sử dụng điện áp 1.2 V. Samsung cho biết, để tăng xung nhịp lên 1.2 GHz đồng thời giảm điện áp xuống 1.2 V, hãng đã áp dụng một cơ chế giảm nhiễu xung nhịp song song giữa hơn 5000 liên kết TSV bên trong stack. Ngoài ra, Samsung cũng tăng số lượng thermal bump – nốt tản nhiệt được làm từ các tấm film mỏng nhiệt điện, đóng vai trò quản lý nhiệt cho chip – giữa các đế DRAM để phân bổ nhiệt cân bằng trên toàn KGSD, giúp giải phóng nhiệt hiệu quả hơn.

 

Cuối cùng, bộ nhớ HBM2 Aquabolt cũng được tích hợp một lớp bảo vệ vào dưới package nhằm tăng độ bền. SK Hynix cũng đang sản xuất chip nhớ HBM2 2.4 Gbps trong Q1/2018, nên Samsung sẽ không thế độc quyền trên thị trường chip nhớ tốc độ cao trong những tháng tiếp theo.

513Vote
41Vote
39Vote
213Vote
19Vote
2.945
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
28 Tháng Năm 2020
Thứ Năm (28/05/2020), các tổ chức doanh nghiệp khuyên ông Trump khoan vội vã trong việc đáp trả Bắc Kinh, cảnh báo rằng việc tước bỏ các ưu đãi với Hong Kong sẽ gây tổn hại cho thành phố.
28 Tháng Năm 2020
Chính quyền Trump đưa ra một danh sách dài các cách phản ứng tiềm năng nhằm đáp trả kế hoạch áp đặt dự luật an ninh Hong Kong của Trung Quốc, bao gồm vấn đề thị thực và trừng phạt kinh tế.
27 Tháng Năm 2020
Hôm thứ Tư (27/05/2020), Hạ viện Mỹ đã thông qua dự luật Duy Ngô Nhĩ với tỷ lệ áp đảo, kêu gọi các biện pháp trừng phạt quan chức Trung Quốc, và gửi tới Nhà Trắng cho tổng thống Donald Trump.
27 Tháng Năm 2020
Hôm thứ Tư (27/05/2020), Hàn Quốc đã ghi nhận số ca nhiễm Covid-19 mới hàng ngày cao nhất trong 49 ngày qua, do sự bùng phát cụm dịch mới.
27 Tháng Năm 2020
Giám đốc tài chính tập đoàn Huawei Mạnh Vãn Châu (Meng Wanzhou) đã không được trả tự do trong phiên tòa tại Canada hôm thứ Tư (27/05/2020), và bị xem xét dẫn độ sang Mỹ.
27 Tháng Năm 2020
Hôm thứ Tư (27/05/2020), Ngoại trưởng Mỹ Mike Pompeo tuyên bố Hong Kong không còn được hưởng quyền tự chủ, tước bỏ những lợi ích mà đặc khu được hưởng theo luật pháp Mỹ.