Samsung Bắt Đầu Sản Xuất Hàng Loạt Bộ Nhớ V-NAND Thế Hệ 5

Khoảng giữa tháng 07/2018, Samsung cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ 3D V-NAND thế hệ thứ 5, với số lượng lớp bán dẫn tăng từ 64 lên 96 lớp, nhờ đó mật độ bộ nhớ tăng theo mà không ảnh hưởng nhiều đến độ bền, độ ổn định của các chip NAND sản xuất trên cùng tiến trình. Thế hệ bộ nhớ V-NAND 96 lớp được Samsung công bố từ tháng 08/2017, và đến tháng 07/2018 đã bước vào sản xuất.

V-NAND thế hệ thứ 5 cũng bao gồm nhiều cải tiến, trong đó đáng chú ý là giao tiếp Toggle DDR 4.0 cho tốc độ truyền tải dữ liệu trên các chip 256 Gb V-NAND mới đến 1.4 Gbps so với 800 MBps trên các thế hệ V-NAND trước của Samsung. Điện áp hoạt động của bộ nhớ mới cũng giảm từ 1.8 V xuống 1.2 V để bù cho điện năng tiêu thụ tăng thêm từ giao tiếp bộ nhớ nhanh hơn. Samsung cũng nhấn mạnh về độ trễ đọc và ghi trên chip NAND mới, theo đó độ trễ đọc giữa 2 thế hệ V-NAND 48 lớp và 64 lớp không được cải thiện nhưng đến thế hệ 96 lớp đã giảm xuống còn 50 micro giây, đồng thời độ trễ ghi giảm xuống khoảng 30%, còn 500 micro giây.

Samsung không đề cập nhiều về những tinh chỉnh trên tiến trình, nhưng độ cao của mỗi lớp cell nhớ giảm 20% từ đó giảm độ cao của những lỗ dọc được khoan xuống tạo kênh liên kết giữa các lớp. Trên thế hệ V-NAND thứ 5, Samsung đã xếp hơn 90 lớp 3D Charge Trap Flash (CTF) lên nhau theo cấu trúc kim tự tháp và khoan những lỗ dọc xuống với đường kính chỉ vài trăm nm. Những cải tiến mới hứa hẹn sẽ giúp Samsung tăng 30% sản lượng đối với V-NAND thế hệ 5.

Những con đế chip đầu tiên dùng V-NAND thế hệ 5 sẽ là 256 Gb TLC và chúng sẽ sớm được sử dụng rộng rãi trên thị trường di động và SSD. Những đế chip lớn hơn sẽ được sản xuất sau, nhằm đáp ứng nhu cầu về dung lượng lưu trữ lớn với chi phí/bit thấp hơn, thường là thị trường SSD dành cho doanh nghiệp. Đợt sản xuất mới của Samsung sẽ bao gồm đế chip 1 Tb QLC NAND.