Sẽ Có Vật Liệu Sợi Carbon Lưu Trữ Được Điện Năng

23 Tháng Mười 20182:09 SA(Xem: 13408)
Sẽ Có Vật Liệu Sợi Carbon Lưu Trữ Được Điện Năng
Sẽ Có Vật Liệu Sợi Carbon Lưu Trữ Được Điện Năng

Khoảng cuối tháng 10/2018, Đại học Chalmers University of Technology, Thụy Điển đã công bố nghiên cứu về vật liệu sợi carbon mới, có thể hoạt động như ắc-quy để lưu trữ điện năng.

 

Theo đó, sợi carbon mới cấu tạo từ 3 lớp hợp thành, bao gồm lớp sợi carbon có điện cực dương, lớp sợi thủy tinh cách nhiệt và lớp sợi carbon phủ điện cực âm. Trong tương lai, khung gầm làm từ loại vật liệu mới có thể trở thành một phần của hệ thống điện trên xe hơi, góp phần tinh gọn cụm ắc-quy hoặc pin. Từ đó, nó sẽ giúp xe trở nên nhẹ hơn để chạy nhanh hơn với cùng công suất động cơ như cũ, hoặc đơn giản là tiết kiệm nhiên liệu tốt hơn.

 

Các thử nghiệm thu được kết quả rằng vật liệu sợi carbon gồm các tinh thể nhỏ hơn và có khả năng hoạt động lưu trữ điện năng tốt hơn cả các điện cực của pin lithium-ion. Đồng thời, nhờ mật độ năng lượng thấp hơn so với cấu tạo của pin nên sợi carbon mới có khả năng lưu trữ điện năng an toàn hơn. Đặc biệt là khi chúng không cần thêm các dung môi dễ gây cháy nổ. Loại vật liệu mới tuy ít bền và chịu lực kém hơn so với loại sợi carbon thông thường, nhưng nó vẫn có độ cứng và bền hơn thép 2 lần.

 

Leif Asp, Giáo sư khoa Vật liệu và Cơ học của đại học Chalmers cho biết, với vật liệu sợi carbon mới, khung gầm của xe không chỉ đóng vai trò chịu lực mà còn sẽ hoạt động như một bộ pin hoặc ắc-quy. Ngoài ra, nhờ các điện cực âm dương bên trong mà loại sợi carbon mới còn có thể tiếp tục được nghiên cứu để thay thế vai trò cho các bộ thu hồi năng lượng, cảm biến, dây dẫn điện hoặc truyền dữ liệu. Nếu tất cả những công dụng được nêu đều được tích hợp vào vật liệu sợi carbon mới, các nhà sản xuất sẽ có thể cắt giảm trọng lượng thân xe hoặc máy bay đến 50% so với hiện nay.

59Vote
40Vote
38Vote
210Vote
15Vote
2.932
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
03 Tháng Bảy 2018
Khoảng đầu tháng 07/2018, một số nguồn tin cho biết, bộ phận sản xuất pin Samsung SDI đang tích cực nghiên cứu những mẫu pin uốn dẻo với dung lượng từ 3,000 mAh trở lên, nhằm tương thích với mẫu smartphone màn hình gập của Samsung, dự kiến sẽ ra mắt vào năm 2019.
03 Tháng Bảy 2018
Khoảng đầu tháng 07/2018, TSMC cho biết sẽ đầu tư 25 tỷ USD cho việc triển khai dây chuyền sản xuất chip công nghệ 5nm. Tuy nhiên, đại diện của hãng không chia sẻ kế hoạch và mốc thời gian cụ thể. Điều này làm dấy lên nghi vấn đây chỉ là động thái “đánh tiếng” trước việc Samsung sẽ công bố chi tiết công nghệ 7nm dựa trên tia siêu cực tím EUV tại hội nghị VLSI Symposia diễn ra ở Honolulu, Hawaii.
03 Tháng Bảy 2018
Khoảng cuối tháng 06/2018, hãng sản xuất đồ dùng thể thao Adidas của Đức cho biết website adidas.com đã bị tin tặc tấn công, và đây là một cuộc tấn công nghiêm trọng và phức tạp. Dù không cung cấp bất kỳ chi tiết nào về số lượng khách hàng có thể bị ảnh hưởng, nhưng hãng cho biết các thông tin như chi tiết liên lạc, địa chỉ thực và thông tin email đã bị đánh cắp. Ngoài ra, các thông tin khác như tài khoản hội nhập, tên người dùng và mật mã, cũng có thể bị lộ.
03 Tháng Bảy 2018
Khoảng đầu tháng 07/2018, theo trang Wall Street Journal, Facebook đã gửi bộ tài liệu dài 747 trang đến các nhà lập pháp trong Ủy ban Năng lượng và Thương mại. Ủy ban đã công khai tài liệu, nhằm mục đích trả lời ít nhất là một phần trong số nhiều câu hỏi mà Mark Zuckerberg đã được hỏi trong phiên điều trần cách đây không lâu.
02 Tháng Bảy 2018
Khoảng cuối tháng 06/2018, một số nguồn tin cho biết, dựa trên API được tìm thấy trong Windows Build 17704, có vẻ như chiếc smartphone gập Surface Phone sẽ sở hữu bản lề cho phép thiết bị xoay lật 360 độ.
02 Tháng Bảy 2018
Khoảng đầu tháng 07/2018, các nhà khoa học tại DeepMind đã phát triển Generative Query Network – mạng neural network được thiết kế để dạy AI cách tưởng tượng ra đồ vật sẽ trông như thế nào từ một phía khác. DeepMind đã phát triển một hệ thống trí tuệ nhân tạo có thể kết xuất được toàn cảnh 3D chỉ nhờ vào những hình ảnh 2D.