Qualcomm Đang Thử Nghiệm Chip Snapdragon 810 Với Hỗ Trợ LTE Cat 9

26 Tháng Mười Hai 20149:00 CH(Xem: 19305)
Qualcomm Đang Thử Nghiệm Chip Snapdragon 810 Với Hỗ Trợ LTE Cat 9
blank
Qualcomm Snapdragon 810 hiện đang là chipset hàng đầu trong giai đoạn cuối năm 2014. Theo dự kiến, nó có thể sẽ được ra mắt cùng với các chip flagship khác trong dịp CES và MWC năm 2015. Chip mới được thiết kế theo công nghệ 64-bit 8 nhân, hỗ trợ GPU Adreno 430 và modem mạng Qualcomm mới.

Các thông tin ban đầu cho biết Snapdragon 810 hỗ trợ LTE Cat 6, có tốc độ 300 Mbps downlink và uplink là 50 Mbps. Cuộc đua tốc độ đã được tăng tốc vì Samsung cũng đang mon men với một chipset Exynos LTE Cat 10 cho Galaxy S6.

Để cạnh tranh với Samsung, Qualcomm cũng khẳng định chắc nịch sẽ nâng chuẩn modem LTE Cat 9 cho chip Snapdragon 810 và sẽ được trang bị trong nhiều thiết bị cao cấp trong năm 2015.


Quá trình thử nghiệm chip Snapdragon 810 chạy LTE Cat 9 hiện đang diễn ra ở Anh với sự hỗ trợ của Huawei và mạng EE. Cũng có nghĩa là EE sẽ là một trong các nhà mạng hỗ trợ công nghệ mạng LTE mới nhất.

LTE Cat 9 có nghĩa là tốc độ 450 Mbps cho tải xuống và lên đến 50 Mbps cho tải lên. Chip Samsung Exynos 6 với Cat 10 cũng được cho là sẽ cung cấp tốc độ downlink tương tự, nhưng tốc độ tải lên sẽ tăng gấp đôi lên đến 100 Mbps.

CES 2015 đã gần kề, tiếp theo sẽ là MWC ở Barcelona, những đột phá của công nghệ đang sắp diễn ra.
512Vote
40Vote
31Vote
21Vote
11Vote
4.415
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
19 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, Google đã công bố phiên bản Google Glass 2.0, sản phẩm kính thông minh dành cho doanh nghiệp.
19 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, một số nguồn tin cho biết, bộ đôi Galaxy S tiếp theo sẽ có hai kích thước màn hình là 5.77 inch và 6.22 inch tương tự dòng Galaxy S8.
18 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, Elon Musk tiếp tục làm cả thế giới phải trầm trồ thán phục với hệ thống pin lớn nhất thế giới được chế tạo bởi Tesla.
18 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, Toshiba đã công bố chip nhớ 3D TLC NAND dung lượng 512 GB và 1 TB đầu tiên của hãng được sản xuất theo tiến trình BiCS với công nghệ TSV.
13 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, các nhà nghiên cứu đã phát triển thành công một vật liệu có tên gọi là Bismuthene, có khả năng hoạt động ngay ở nhiệt độ phòng.
10 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, một số nguồn tin cho biết, LG Display sẽ bắt đầu quá trình sản xuất hàng loạt các tấm nền OLED dẻo vào năm 2020. Chất lượng hình ảnh của màn hình OLED