Samsung Ra Mắt Flash 128 GB UFS 2.0 Cho Di Động

26 Tháng Hai 20159:00 CH(Xem: 18853)
Samsung Ra Mắt Flash 128 GB UFS 2.0 Cho Di Động
blank
Smartphone với bộ nhớ 128GB đã không còn quá xa lạ, nhưng dung lượng lưu trữ cao cần có tốc độ truy xuất dữ liệu nhanh thì mới mang lại hiệu quả sử dụng cao.

Samsung đã công bố bộ nhớ đầu tiên trên thế giới dành cho smartphone đạt chuẩn Universial Flash Storage (UFS) 2.0. Sản phẩm mới sẽ có tốc độ truy xuất ngẫu nhiên tới 19.000 IOPS, nhanh hơn 2.7 lần những smartphone cao cấp nhất hiện hành và gấp 12 lần các thẻ nhớ tốc độ cao. Ngoài ra, tốc độ đọc của UFS 2.0 có thể ngang tầm với ổ cứng SSD của PC/Laptop.

Bên cạnh đó, dòng chip flash mới được cho là sẽ tiêu thụ điện năng ít hơn 50% so với các con chip hiện hành, đồng thời cho phép ghép chồng lên các chip logic cũ để tiết kiệm 50% diện tích so với các giải pháp eMMC.


blank
Hiện Samsung vẫn chưa tiết lộ những thiết bị sẽ được trang bị UFS 2.0, nhưng nhiều nguồn tin cho rằng một trong số đó là chiếc Galaxy S6. Và rất có thể Samsung sẽ ra mắt Galaxy S6 với 2 phiên bản dung lượng lưu trữ là 64 GB và 128 GB.

Ngoài ra, hãng cũng được cho là đang sản xuất cả UFS 2.0 các phiên bản dung lượng 32 GB và 64 GB. Thật tuyệt vời nếu chip nhớ UFS 2.0 các phiên bản 32 GB và 64 GB thật sự xuất hiện trên những smartphone tầm trung hay phân khúc giá rẻ, nó sẽ giúp trải nghiệm của người dùng tăng lên rất nhiều.
517Vote
42Vote
35Vote
21Vote
11Vote
4.326
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
30 Tháng Bảy 2015
Đúng như những gì Nokia đã hứa hẹn khi bán mảng di động lại cho Microsoft vào năm 2013: sẽ tập trung vào các lĩnh vực khác như bản đồ,
29 Tháng Bảy 2015
Các điện thoại tốt nhất ngày nay thường được trang bị thân và khung viền kim loại. Điều này đặt ra một vấn đề khó khăn cho công nghệ sạc pin không dây.
29 Tháng Bảy 2015
Hiện tại là khoảng thời gian nữa năm 2015, có nghĩa là vẫn còn nhiều thời gian cho Apple ra mắt nhiều sản phẩm mới trên thị trường trong suốt mùa lễ.
28 Tháng Bảy 2015
Intel và Micron đã tìm ra phương pháp mới giúp lưu trữ dữ liệu. Trong tháng 07/2015, Intel đã chính thức công bố công nghệ lưu trữ 3D Xpoint của bộ nhớ non-volatile.
28 Tháng Bảy 2015
Samsung đang tiến hành trang bị màn hình mới nhất có khả năng sạc pin không dây cho các thiết bị di động.
27 Tháng Bảy 2015
Một nhóm nghiên cứu thuộc Cơ Quan Hàng Không Vũ Trụ Hoa Kỳ (NASA) và Đại Học California (UCLA) đang phát triển một loại chip wifi mới, có khả năng phát tín hiệu tốt hơn,