Samsung Ra Mắt Flash 128 GB UFS 2.0 Cho Di Động

26 Tháng Hai 20159:00 CH(Xem: 18702)
Samsung Ra Mắt Flash 128 GB UFS 2.0 Cho Di Động
blank
Smartphone với bộ nhớ 128GB đã không còn quá xa lạ, nhưng dung lượng lưu trữ cao cần có tốc độ truy xuất dữ liệu nhanh thì mới mang lại hiệu quả sử dụng cao.

Samsung đã công bố bộ nhớ đầu tiên trên thế giới dành cho smartphone đạt chuẩn Universial Flash Storage (UFS) 2.0. Sản phẩm mới sẽ có tốc độ truy xuất ngẫu nhiên tới 19.000 IOPS, nhanh hơn 2.7 lần những smartphone cao cấp nhất hiện hành và gấp 12 lần các thẻ nhớ tốc độ cao. Ngoài ra, tốc độ đọc của UFS 2.0 có thể ngang tầm với ổ cứng SSD của PC/Laptop.

Bên cạnh đó, dòng chip flash mới được cho là sẽ tiêu thụ điện năng ít hơn 50% so với các con chip hiện hành, đồng thời cho phép ghép chồng lên các chip logic cũ để tiết kiệm 50% diện tích so với các giải pháp eMMC.


blank
Hiện Samsung vẫn chưa tiết lộ những thiết bị sẽ được trang bị UFS 2.0, nhưng nhiều nguồn tin cho rằng một trong số đó là chiếc Galaxy S6. Và rất có thể Samsung sẽ ra mắt Galaxy S6 với 2 phiên bản dung lượng lưu trữ là 64 GB và 128 GB.

Ngoài ra, hãng cũng được cho là đang sản xuất cả UFS 2.0 các phiên bản dung lượng 32 GB và 64 GB. Thật tuyệt vời nếu chip nhớ UFS 2.0 các phiên bản 32 GB và 64 GB thật sự xuất hiện trên những smartphone tầm trung hay phân khúc giá rẻ, nó sẽ giúp trải nghiệm của người dùng tăng lên rất nhiều.
517Vote
42Vote
35Vote
21Vote
11Vote
4.326
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
19 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, Google đã công bố phiên bản Google Glass 2.0, sản phẩm kính thông minh dành cho doanh nghiệp.
19 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, một số nguồn tin cho biết, bộ đôi Galaxy S tiếp theo sẽ có hai kích thước màn hình là 5.77 inch và 6.22 inch tương tự dòng Galaxy S8.
18 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, Elon Musk tiếp tục làm cả thế giới phải trầm trồ thán phục với hệ thống pin lớn nhất thế giới được chế tạo bởi Tesla.
18 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, Toshiba đã công bố chip nhớ 3D TLC NAND dung lượng 512 GB và 1 TB đầu tiên của hãng được sản xuất theo tiến trình BiCS với công nghệ TSV.
13 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, các nhà nghiên cứu đã phát triển thành công một vật liệu có tên gọi là Bismuthene, có khả năng hoạt động ngay ở nhiệt độ phòng.
10 Tháng Bảy 2017
Khoảng giữa tháng 07/2017, một số nguồn tin cho biết, LG Display sẽ bắt đầu quá trình sản xuất hàng loạt các tấm nền OLED dẻo vào năm 2020. Chất lượng hình ảnh của màn hình OLED