Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22406)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
08 Tháng Mười Hai 2015
Thượng tuần tháng 12/2015, Apple đã chính thức ra mắt Smart Battery Case – phụ kiện case mới, có tích hợp pin sạc cho iPhone 6 và iPhone 6S.
03 Tháng Mười Hai 2015
Tháng 12/2015, HGST đã công bố sản phẩm HDD mới nhất, đạt tới 10 TB nhờ sử dụng khí Helium. HGST – Hitachi Global Storage Technologies – là công ty chuyên nghiên cứu công nghệ lưu trữ, thuộc quản lý của Western Digital.
03 Tháng Mười Hai 2015
Thượng tuần tháng 12/2015, một số nguồn tin cho biết, vi xử lý Snapdragon 830 sẽ hỗ trợ cho smartphone có thể có RAM lên đến 8GB.
02 Tháng Mười Hai 2015
Thượng tuần tháng 12/2015, một số nguồn tin cho rằng HTC và Under Armour có thể đang hợp tác cùng phát triển một chiếc cân Bluetooth, có tên là UA Scale.
01 Tháng Mười Hai 2015
Nhằm cạnh tranh tốt hơn với màn hình LCD, trong năm 2016, Samsung có thể sẽ giảm giá bán màn hình AMOLED xuống 20%, đối với những sản phẩm màn hình cỡ nhỏ và vừa.
01 Tháng Mười Hai 2015
Hồi tháng 07/2015, Nokia đã ra mắt OZO – chiếc máy quay thực tế ảo đầu tiên của hãng. Tháng 12/2015, OZO đã chính thức được ấn định giá bán cùng thời điểm phát hành.