Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22391)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
21 Tháng Mười 2015
Hạ tuần tháng 10/2015, trong sự kiện tại Seoul, Hàn Quốc, LG và Samsung đã giới thiệu những công nghệ pin mới dành cho các thiết bị đeo thông minh.
21 Tháng Mười 2015
Microsoft có thể sẽ không phải là công ty duy nhất đang nghiên cứu HoloLen – chiếc kính thực tế tăng cường độc đáo được kỳ vọng sẽ ra mắt vào khoảng đầu năm 2016 với mức giá xấp xỉ 3,000 USD.
20 Tháng Mười 2015
Nhiều dự đoán cho rằng Samsung sẽ ra mắt Galaxy S7 vào đầu năm 2016, còn sản phẩm kế nhiệm dòng Note sẽ xuất hiện vào khoảng thời gian sự kiện IFA tháng 09/2016.
18 Tháng Mười 2015
Elon Musk từng khẳng định rằng những chiếc xe điện chính là tương lai của ngành công nghiệp sản xuất xe hơi.
14 Tháng Mười 2015
Trung tuần tháng 10/2015, Apple đã cải tiến một loạt các phụ kiện bàn phím, trackpad và chuột Magic Mouse.
14 Tháng Mười 2015
Như đã biết, Touch ID là công nghệ cảm biến dấu vân tay dùng được Apple ra mắt cùng với iPhone 5S. Tháng 10/2015, Apple đã được cấp phép bằng sáng chế mang Touch ID lên máy tính Mac,