Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22326)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
27 Tháng Tư 2017
Khoảng cuối tháng 04/2017, Samsung đã hợp tác cùng với IBM để nghiên cứu và phát triển công nghệ bộ nhớ mới, được khẳng định là có tốc độ nhanh nhất thế giới.
26 Tháng Tư 2017
Khoảng cuối tháng 04/2017, một đại diện của Samsung cho biết, tính năng nhận dạng khuôn mặt trên Galaxy S8 & S8 Plus hiện chỉ giúp mở khóa nhanh điện thoại chứ chưa đủ an toàn cho các giao dịch tài chính.
25 Tháng Tư 2017
Khoảng cuối tháng 04/2017, bộ đôi smartphone flagship Galaxy S8 & S8 Plus được ra mắt với thiết kế màn hình cong tràn 2 cạnh và viền siêu mỏng đã gây được ấn tượng tốt cho nhiều người.
25 Tháng Tư 2017
Khoảng cuối tháng 04/2017, Larry Page, CEO của Alphabet từng công bố một dự án thiết kế xe bay, cho biết cuối cùng dự án đã gần hoàn thiện và có thể sẽ được ra mắt vào cuối năm 2017.
24 Tháng Tư 2017
Người đi xe đạp sẽ thường bị trường hợp thủng lốp xe. Khoảng cuối tháng 04/2017, các nhà sáng chế tài năng ở Bridgestone đã thiết kế được “lốp xe đạp không cần hơi”
21 Tháng Tư 2017
Khoảng cuối tháng 04/2017, Samsung Electronics tuyên bố đã hoàn thiện phát triển quy trình chip xử lý 10 nanomet thế hệ thứ 2 của hãng.