Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới

27 Tháng Ba 20152:00 SA(Xem: 22385)
Micron Và Intel Ra Mắt Chip Nhớ NAND Flash 3D Mới
blank
Micron và Intel đã ra mắt công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D, được cho là :có mật độ lưu trữ cao nhất nhất thế giới”.

Theo đó, hai công ty đã tìm ra công nghệ mới, sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Kết quả đạt được là những con chip có dung lượng 256 GB - tương đương 32GB nếu dùng cấu trúc MLC; hoặc 384 GB - tương đương 48GB nếu dùng TLC.

blank
Khi đóng gói nhiều con chip mới vào trong một ổ SATA 2.5 inch thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10 TB, còn nếu là ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3.5 TB, cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện hành.

Được biết, chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể sẽ được trang bị cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện dòng chip nhớ mới đang được thử nghiệm nội bộ và quy trình sản xuất đại trà sẽ bắt đầu trong nửa sau năm 2015.

blank

Intel và Micron cũng hứa hẹn sẽ mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D. Chế độ ngủ mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc một số chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Đồng thời, những kỹ thuật mới cũng được áp dụng giúp giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với các thế hệ tiền nhiệm.

Các tính năng chính của sản phẩm thiết kế 3D NAND mới bao gồm:

  • Dung lượng lớn: lớn hơn gấp 3 lần so với công nghệ 3D hiện hành.
  • Giảm Chi phí cho mỗi GB - thế hệ 3D NAND đầu tiên được kiến trúc để đạt được hiệu quả chi phí tốt hơn so với NAND phẳng.
  • Nhanh: băng thông đọc/viết, tốc độ I/O và hiệu suất đọc ngẫu nhiên cao.
  • Tiết kiệm năng lượng - chế độ ngủ mới cho phép sử dụng điện năng thấp bằng cách cắt điện để vô hiệu NAND (ngay cả khi phần khác trong cùng một gói đang hoạt động), giúp giảm tiêu thụ điện năng đáng kể trong chế độ chờ.
  • Thông minh - tính năng mới được cải tiến giúp giảm độ trễ và tăng sức chịu đựng hơn thế hệ trước, đồng thời cũng làm cho việc tích hợp hệ thống dễ dàng hơn.
573Vote
44Vote
310Vote
27Vote
18Vote
4.2102
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
16 Tháng Mười 2016
Trung tuần tháng 10/2016, AMD đã nâng cấp dòng sản phẩm vi xử lý đồ họa GPU Polaris, giữ nguyên hiệu năng nhưng cải thiện điện năng tiêu thụ đến 50%.
12 Tháng Mười 2016
Trung tuần tháng 10/2016, Samsung thông báo chính thức về việc bắt đầu sản xuất hàng loạt Exynos 7 Dual 7270 – thế hệ vi xử lý đầu tiên được sản xuất trên dây chuyền 14nm, dành riêng cho thiết bị đeo (wearable).
12 Tháng Mười 2016
Nếu đã cảm thấy nhàm chán với những chiếc loa thông thường, chiếc loa Bluetooth dạng đám mây bồng bềnh có thể bay lơ lửng sẽ khiến người dùng cảm thấy thú vị hơn.
11 Tháng Mười 2016
Trung tuần tháng 10/2016, trang The Verge đưa tin, chính phủ Anh đã cấm các nhà chính trị của mình đeo Apple Watch trong những buổi họp nội các do lo ngại thiết bị có thể bị hack.
07 Tháng Mười 2016
Thượng tuần tháng 10/2016, trang AppleInsider đưa tin về một bằng sáng chế mới của Apple, gợi ý về khả năng thế hệ iPhone 8 sẽ có nút Home ảo, được đặt ngay trong màn hình với cảm biến vân tay tích hợp bên dưới.
07 Tháng Mười 2016
Tính đến tháng 10/2016, chip A10 – được trang bị trên iPhone 7 và iPhone 7 Plus của Apple – được đánh giá là vi xử lý mạnh nhất thế giới, vượt mặt cả chip Snapdragon 820 của Qualcomm về điểm hiệu năng.