Samsung Giới Thiệu RAM Mới Dung Lượng 128 GB Mỗi Thanh

28 Tháng Mười Một 20157:00 CH(Xem: 20520)
Samsung Giới Thiệu RAM Mới Dung Lượng 128 GB Mỗi Thanh
blank
Hạ tuần tháng 11/2015, Samsung công bố đang chuẩn bị sản xuất bộ nhớ RAM thế hệ mới, với dung lượng lên tới 128 GB trên mỗi thanh.

Theo đó, Samsung đã ghép tất cả 144 chip nhớ thành 36 bộ, mỗi bộ tương đương 4 GB RAM. Chúng được sản xuất trên dây chuyền 20nm và tốc độ truyền dữ liệu tối đa có thể đạt được vào khoảng 2400 Mbps, tương đương khoảng 300 MB mỗi giây. Trong khi đó, mức tiết kiệm năng lượng có thể lên tới 50% so với RAM 64 GB trước đây.

Sau đó, tất cả được hàn lên cùng 1 board mạch giao tiếp với máy tính thông qua cổng RDIMM thông thường. Nhờ đó Samsung đã tạo ra những thanh RAM có dung lượng khủng khiếp, lên tới 128GB dung lượng bộ nhớ vào 1 khe cắm duy nhất.

Việc chế tạo thành công thanh RAM 128 GB hứa hẹn sẽ giúp cho những dàn máy chủ có thể tăng số lượng RAM lên đột biến mà không cần thay thế nền tảng vốn có. Để dễ hình dung, một dàn máy chủ với 96 khe DIMM, khi được gắn toàn bộ RAM 128GB của Samsung, nó sẽ có cấu hình lên tới 12.2 TB RAM. Hiện Samsung chưa công bố mức giá cụ thể cho sản phẩm mới, nhưng có thể thấy, thế hệ RAM mới sẽ chủ yếu dành cho các server doanh nghiệp.
536Vote
49Vote
316Vote
211Vote
114Vote
3.586
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
19 Tháng Chín 2015
Bulbing Lamps là ý tưởng đến từ công ty thiết kế Studio Cheha. Đây là một chiếc đèn bàn vừa độc đáo vừa đẹp mắt, có thể tạo ra hiệu ứng đánh lừa thị giác 3D.
19 Tháng Chín 2015
Tháng 09/2015, Giám đốc điều hành của Intel đã lên tiếng thừa nhận việc bỏ qua dòng chip Broadwell, bộ xử lý thế hệ thứ năm,
17 Tháng Chín 2015
Những hình ảnh rò rỉ dường như là mặt sau của một chiếc smartphone, có thể thấy đây là một thiết bị có ngôn ngữ thiết kế khác biệt hoàn toàn với những chiếc smartphone trước đây của LG.
17 Tháng Chín 2015
Tháng 09/2015, Qualcomm đã giới thiệu bộ đôi vi xử lý mới dành cho các thiết bị di động thuộc phân khúc tầm trung: Snapdragon 430 và Snapdragon 617.
15 Tháng Chín 2015
Tháng 09/2015, Qualcomm đã công bố công nghệ sạc nhanh Quick Charge thế hệ thứ 3, với tên gọi Quick Charge 3.0. Công nghệ sạc nhanh thế hệ mới có thể giúp sạc pin thiết bị từ 0% lên 80% chỉ trong vòng 35 phút.
14 Tháng Chín 2015
Đội ngũ nghiên cứu thuộc trung tâm nghiên cứu và phát triển của Xerox ( PARC) đã chế tạo thành công mẫu chip mới, có khả năng tự hủy khi nhận lệnh.