Surface Thế Hệ Kế Nhiệm Có Thể Sẽ Đi Cùng Bút Surface Pen Có Thể Tự Sạc Lại

19 Tháng Giêng 20166:00 CH(Xem: 20520)
Surface Thế Hệ Kế Nhiệm Có Thể Sẽ Đi Cùng Bút Surface Pen Có Thể Tự Sạc Lại
blank
Trung tuần tháng 01/2016, trang Microsoft-News đưa tin, thế hệ kế nhiệm của chiếc Surface có thể sẽ được trang bị chiếc bút cảm ứng Surface Pen với khả năng sạc lại được, thay vì sử dụng các viên pin theo chuẩn AAAA như trên Surface Pro 4 hiện hành.

Được biết, thông tin được tiết lộ từ bằng sáng chế mới của Microsoft. Theo đó, người dùng có thể sạc pin cho Surface Pen bằng cách gắn bút trực tiếp vào chiếc Surface.


blank
Trên Surface Pro 4 và Surface Book, người dùng có thể sạc thông qua cổng sạc từ có trên máy. Nhưng với thế hệ tiếp theo, có thể sẽ gọi là Surface Pro 5, người dùng có thể sạc Surface Pen thông qua một chiếc dock được thiết kế riêng.

Hiện chưa có thông tin về cách thức hoạt động cụ thể, cũng như vẫn chưa có bất kỳ xác nhận chính thức nào từ phía Microsoft. Các thông tin mới sẽ được cập nhật sớm nhất có thể.
528Vote
40Vote
31Vote
22Vote
11Vote
4.632
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
25 Tháng Tám 2015
Tháng 08/2015, Qualcomm đã tiết lộ thêm nhiều chi tiết về Hexagon 680 DSP (Digital Signal Processor), một bộ phận nằm trên vi xử lý Snapdragon 820,
25 Tháng Tám 2015
Hạ tuần tháng 08/2015, Nick Hayek, CEO của Swatch, cho biết trong tương lai, công ty sẽ không chỉ ra mắt một mà sẽ có nhiều sản phẩm đồng hồ thông.
23 Tháng Tám 2015
Trong những năm qua, công nghệ in 3D đã phát triển ngày một nhanh chóng, có mặt trong nhiều lĩnh vực quan trọng trong đời sống. Nguyên liệu in 3D thường thấy là nhựa hoặc kim loại.
20 Tháng Tám 2015
Cụ thể, theo đoạn video, Gear S2 sẽ có màn hình hiển thị hình tròn, nhiều mặt đồng hồ khác nhau, khả năng theo dõi thể dục,
20 Tháng Tám 2015
Tháng 08/2015, Google đã gia nhập vào thị trường thiết bị định tuyến Internet (router). Hãng đã công bố sản phẩm mới với tên gọi là OnHub, hợp tác cùng hãng TP-Link.
19 Tháng Tám 2015
Cụ thể, nhóm đã vô hiệu hóa 3 trong tổng số 4 nhân của chip, đồng thời sử dụng công nghệ siêu phân luồng (Hyper-Threading) và tăng điện áp từ 1.2V lên 1.888V.