Samsung Giới Thiệu Chip Nhớ Mới Có Dung Lượng 256 GB

27 Tháng Hai 20169:00 CH(Xem: 23765)
Samsung Giới Thiệu Chip Nhớ Mới Có Dung Lượng 256 GB
blank
Hạ tuần tháng 02/2016, Samsung đã công bố chip nhớ 256 GB sử dụng định dạng UFS 2.0 mới, rất có thể sẽ được trang bị trên Galaxy Note 6 và Galaxy S7 Edge+, trở thành smartphone đầu tiên trên thế giới có bộ nhớ 256 GB.

Với định dạng UFS 2.0, chip nhớ 256 GB mới của Samsung hứa hẹn sẽ cho tốc độ đọc ghi vượt trội. Cụ thể, chip nhớ mới của Samsung sẽ có tốc độ đọc sẽ lên đến 850 MB/s còn tốc độ ghi lên đến 260 MB/s, cao gấp 3 lần tốc độ thẻ nhớ microSD cao cấp hiện nay. Thậm chí, chip nhớ mới của Samsung còn có có thể đọc và ghi đồng thời.


Trước đó, Samsung đã từng giới thiệu chip nhớ UFS 2.0 dung lượng 128 GB đầu tiên của hãng cùng smartphone Galaxy S6, hiện vẫn được sử dụng trên bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge.

Sắp tới, có thể Galaxy Note 6 sẽ được trang bị chip nhớ mới, cho phép bộ nhớ trong có dung lượng lên đến 256GB. Cùng với đó có thể sẽ là Galaxy S7 Edge+, phiên bản phablet của S7 Edge.
544Vote
48Vote
311Vote
210Vote
110Vote
3.883
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
26 Tháng Giêng 2016
Hạ tuần tháng 01/2016, một số nguồn tin cho biết, dường như Microsoft Research đang nghiên cứu công nghệ tích hợp màn hình phụ vào phụ kiện Flip Cover, đặc biệt dành cho các thiết bị Lumia.
26 Tháng Giêng 2016
Các nhà phát minh đến từ Nhật Bản đã rất táo bạo và độc đáo khi kết hợp công nghệ cao với nghệ thuật để tạo ra cây cảnh (bonsai) bay đầu tiên trên thế giới.
25 Tháng Giêng 2016
Hạ tuần tháng 01/2016, tài khoản Twitter @evleaks tiết lộ, HTC sẽ ra mắt chiếc smartwatch đầu tiên của hãng vào khoảng giữa tháng 04/2016.
22 Tháng Giêng 2016
Bộ xử lý màn hình là một thành phần rất quan trọng trong mỗi thiết bị di động. Nó có nhiệm vụ chuyển đổi tín hiệu số do CPU, GPU xuất ra thành dữ liệu mà màn hình có thể hiểu và hiển thị.
21 Tháng Giêng 2016
Trung tuần tháng 01/2016, Microsoft cho biết sẽ thu hồi lại dây cable của một số sản phẩm Surface Pro do có lỗi nghiêm trọng có thể dẫn đến nguy cơ cháy nổ, hỏa hoạn.
20 Tháng Giêng 2016
Trung tuần tháng 01/2016, Samsung tuyên bố đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các gói DRAM 4GB dựa trên cấu hình HBM2 (High Bandwidth Memory thế hệ 2), đáp ứng cho các nhu cầu hiệu suất cao.