Samsung Giới Thiệu Chip Nhớ Mới Có Dung Lượng 256 GB

27 Tháng Hai 20169:00 CH(Xem: 23836)
Samsung Giới Thiệu Chip Nhớ Mới Có Dung Lượng 256 GB
blank
Hạ tuần tháng 02/2016, Samsung đã công bố chip nhớ 256 GB sử dụng định dạng UFS 2.0 mới, rất có thể sẽ được trang bị trên Galaxy Note 6 và Galaxy S7 Edge+, trở thành smartphone đầu tiên trên thế giới có bộ nhớ 256 GB.

Với định dạng UFS 2.0, chip nhớ 256 GB mới của Samsung hứa hẹn sẽ cho tốc độ đọc ghi vượt trội. Cụ thể, chip nhớ mới của Samsung sẽ có tốc độ đọc sẽ lên đến 850 MB/s còn tốc độ ghi lên đến 260 MB/s, cao gấp 3 lần tốc độ thẻ nhớ microSD cao cấp hiện nay. Thậm chí, chip nhớ mới của Samsung còn có có thể đọc và ghi đồng thời.


Trước đó, Samsung đã từng giới thiệu chip nhớ UFS 2.0 dung lượng 128 GB đầu tiên của hãng cùng smartphone Galaxy S6, hiện vẫn được sử dụng trên bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge.

Sắp tới, có thể Galaxy Note 6 sẽ được trang bị chip nhớ mới, cho phép bộ nhớ trong có dung lượng lên đến 256GB. Cùng với đó có thể sẽ là Galaxy S7 Edge+, phiên bản phablet của S7 Edge.
544Vote
48Vote
311Vote
210Vote
110Vote
3.883
Gửi ý kiến của bạn
Tắt
Telex
VNI
Tên của bạn
Email của bạn
Tạo bài viết
25 Tháng Tám 2015
Tháng 08/2015, Qualcomm đã tiết lộ thêm nhiều chi tiết về Hexagon 680 DSP (Digital Signal Processor), một bộ phận nằm trên vi xử lý Snapdragon 820,
25 Tháng Tám 2015
Hạ tuần tháng 08/2015, Nick Hayek, CEO của Swatch, cho biết trong tương lai, công ty sẽ không chỉ ra mắt một mà sẽ có nhiều sản phẩm đồng hồ thông.
23 Tháng Tám 2015
Trong những năm qua, công nghệ in 3D đã phát triển ngày một nhanh chóng, có mặt trong nhiều lĩnh vực quan trọng trong đời sống. Nguyên liệu in 3D thường thấy là nhựa hoặc kim loại.
20 Tháng Tám 2015
Cụ thể, theo đoạn video, Gear S2 sẽ có màn hình hiển thị hình tròn, nhiều mặt đồng hồ khác nhau, khả năng theo dõi thể dục,
20 Tháng Tám 2015
Tháng 08/2015, Google đã gia nhập vào thị trường thiết bị định tuyến Internet (router). Hãng đã công bố sản phẩm mới với tên gọi là OnHub, hợp tác cùng hãng TP-Link.
19 Tháng Tám 2015
Cụ thể, nhóm đã vô hiệu hóa 3 trong tổng số 4 nhân của chip, đồng thời sử dụng công nghệ siêu phân luồng (Hyper-Threading) và tăng điện áp từ 1.2V lên 1.888V.