Tháng 08/2015, dấy lên tin đồn rằng Samsung sẽ ra mắt sản phẩm Galaxy S7 với hai tùy chọn vi xử lý, một phiên bản sử dụng bộ xử lý Exynos 7420 và một phiên bản dùng chip Qualcomm Snapdragon 820.
Qualcomm cho biết, Snapdragon Smart Protect sẽ cải thiện an ninh và bảo mật trên các thiết bị di động. Thế hệ vi xử lý đầu tiên được tích hợp công nghệ mới sẽ là Snapdragon 820.
Sau chuỗi thất vọng của người dùng trước tình trạng quá nhiệt của vi xử lý Snapdragon 810, Qualcomm đã nỗ lực đẩy nhanh quá trình phát triển dòng vi xử lý kế nhiệm Snapdragon 820.
Thượng tuần tháng 08/2015, rò rỉ một số slide về vi xử lý Snapdragon 820 của Qualcomm. Theo đó, Snapdragon 820 sẽ được sản xuất trên dây chuyền 14nm FinFET,
Khi nói về vấn đề quá nhiệt của chip di động Snapdragon 810 SoC, một số người dùng cho rằng, nếu muốn khắc phục vấn đề thì phải đợi dến khi ra mắt chiếc Snapdragon 820, trước khi mua chiếc điện thoại tiếp theo.
Thế hệ chip xử lý Snapdragon 820 của Qualcomm được cho là sẽ sử dụng lõi Kryo, cùng công nghệ làm mát tốt hơn so với Snapdragon 810. Hiện đã có thông tin benchmark của chip Snapdragon 820,
Theo các nguồn tin quen thuộc với lộ trình của Qualcomm và các hoạt động kỹ thuật sản xuất chip của Samsung cho biết từ đột phá của thực tiễn trong quá khứ,
MWC 2015, Qualcomm đã mở ra tầm nhìn mới về thế hệ điện thoại thông minh khi giới thiệu về nền tảng Zeroth, sẽ được trang bị trên dòng chip của hãng trong tương lai.