Khoảng cuối tháng 12/2017, Samsung Electronics Co. đã thông báo đang tiến hành sản xuất hàng loạt chip DRAM tiến trình 10nm thế hệ thứ 2.
Công ty chi chia sẻ rằng đây là bước đột phá rất lớn, khi thành công trong việc chế tạo chip DDR4 8-gigabit bằng quy trình 10nm tân tiến – đánh dấu cột mốc quan trọng thứ 2 sau khi công ty sử dụng công nghệ để tạo ra thế hệ đầu tiên hồi tháng 02/2016.
So với thế hệ tiền nhiệm, Samsung cho biết năng suất đã tăng thêm tới 30%, góp phần đáp ứng được nhu cầu chip DRAM rất lớn đến từ các khách hàng trên toàn thế giới. Hãng cũng tiết lộ thế hệ DRAM 10nm thứ 2 nhanh hơn phiên bản tiền nhiệm 10% và tiêu tốn năng lượng ít hơn 15%. Samsung đã đưa ra số liệu cho thấy thế hệ chip mới đã tăng hiệu năng, tốc độ và khả năng tiết kiệm năng lượng gấp đôi so với chip DDR3 4Gb được sản xuất trên quy trình 20nm hồi năm 2012.
Nhờ tăng sản lượng chip DRAM 10nm, Samsung đang lên kế hoạch để cạnh tranh với các đối thủ khác, đồng thời áp dụng các công nghệ mới để tạo ra nhiều sản phẩm cao cấp cho các đối tác.
Đại diện của công ty cũng chia sẻ muốn thâm nhập sâu hơn vào thị trường dành cho các máy chủ, thiết bị di động và chip đồ họa, bằng cách tận dụng thành tựu mới nhất của hãng.
- Từ khóa :
- DRAM Thế Hệ Thứ 2
- ,
- 10nm
- ,
- Samsung
- ,
- DDR3 4Gb
Gửi ý kiến của bạn